天線測(cè)試方法的選擇及評(píng)估
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矩形和錐形是兩種常見(jiàn)的微波暗室類型，即所謂的直接照射方法。每種暗室都有不同的物理尺寸，因此會(huì)有不同的電磁行為。矩形微波暗室處于一種真正的自動(dòng)空間狀態(tài)，而錐形暗室利用反射形成類似自由空間的行為。由于使用了反射的射線，因此最終形成的是準(zhǔn)自由而非真正自由的空間。
眾所周知，矩形暗室比較容易制造，在低頻情況下的物理尺寸非常大，而且隨著頻率的提高工作性能會(huì)更好。相反，錐形暗室制造起來(lái)較復(fù)雜，也更長(zhǎng)一些，但寬度和高度比矩陣暗室要小。隨著頻率的提高(如2GHz以上)，對(duì)錐形暗室的操作必須十分小心才能確保達(dá)到足夠高的性能。
通過(guò)研究每種暗室中使用的吸波措施可以更清楚地認(rèn)識(shí)矩形和錐形暗室之間的區(qū)別。在矩形暗室中，關(guān)鍵是要減小被稱為靜區(qū)(QZ)的暗室區(qū)域中的反射能量。靜區(qū)電平是進(jìn)入靜區(qū)的反射射線與從源天線到靜區(qū)的直接射線之差，單位是dB。對(duì)于給定的靜區(qū)電平，這意味著后墻要求的正常反射率需等于或大于要達(dá)到的靜區(qū)電平。
由于矩形暗室中的反射是一種斜入射，這會(huì)使吸波材料的效率打折扣，因此側(cè)墻非常關(guān)鍵。但是，由于存在源天線的增益，只有較少的能量照射到側(cè)墻(地板和天花板)，因此增益差加上斜入射反射率必須大于或等于靜區(qū)反射率水平。
通常只有源和靜區(qū)之間存在鏡面反射的側(cè)墻區(qū)域需要昂貴的側(cè)墻吸波材料。在其它的例子中(例如在位于源后面的發(fā)射端墻處)，可以使用更短的吸波材料。在靜區(qū)周圍一般使用楔形吸波材料，這樣有助于減少任何后向散射，并防止對(duì)測(cè)量造成負(fù)面影響。
錐形暗室中采用什么吸波措施呢？開(kāi)發(fā)這種暗室的最初目的是為了規(guī)避矩形暗室在頻率低于500MHz時(shí)的局限性。在這些低頻頻段，矩形暗室不得不使用低效率天線，而且必須增加側(cè)墻吸波材料的厚度來(lái)減少反射并提高性能。同樣，必須增加暗室尺寸以適應(yīng)更大的吸波材料。采用較小的天線不是解決之道，因?yàn)楦偷脑鲆嬉馕吨鴤?cè)墻吸波材料仍必須增大尺寸。
錐形暗室沒(méi)有消除鏡面反射。錐體形狀使鏡面區(qū)域更接近饋源(源天線的孔徑)，因此鏡面反射成為照射的一部分。鏡面區(qū)域可以用來(lái)通過(guò)形成一組并行射線入射進(jìn)靜區(qū)，從而產(chǎn)生照射。如圖3所示，最終的靜區(qū)幅度和相位錐度接近自由空間中的期望值。
圖3：在緊縮測(cè)試場(chǎng)中由靜區(qū)上的反射面產(chǎn)生的平面波
在錐形暗室中，源天線非常關(guān)鍵，特別是在較高頻率時(shí)(如2GHz以上)，此時(shí)暗室行為對(duì)細(xì)小的變化更加敏感(圖4)。整個(gè)錐體的角度和處理也很重要。角度必須保持恒定，因?yàn)殄F體部分角度的任何變化將引起照射誤差。因此測(cè)量時(shí)保持連續(xù)的角度是實(shí)現(xiàn)良好錐形性能的關(guān)鍵。
圖4：在典型的錐形暗室中，吸波材料的布局看起來(lái)很簡(jiǎn)單，
但離源天線較近的區(qū)域(錐形暗區(qū)域)非常重要
表中提供了典型錐形微波暗室的特性，可以用來(lái)與典型的矩形暗室作比較。較少量的錐形吸波材料意味著更小的暗室，因此成本更低。這兩種暗室提供基本相同的性能。不過(guò)需要注意的是，矩形暗室要想達(dá)到與錐形暗室相同的性能，必須做得更大，采用更長(zhǎng)的吸波材料和數(shù)量更多的吸波材料。
評(píng)論