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通過模塊電源的熱測試,提升電源可靠性設計

作者: 時間:2009-10-19 來源:網(wǎng)絡 收藏

圖4 2R 模型

  這樣就可以根據(jù)公式RJX=(TJ-TX)/Ploss求出結點到環(huán)境的熱阻RthJA(RthJA=RthJS+RthSA)。有關 RthJA的計算,這里只介紹一種簡單的熱模型(Compact thermal model)2R模型,即Two-Resistor Model。其理論依據(jù)如圖4所示。

理論依據(jù)  (2)

  但是對于來說,我們一般把半成品封裝在外殼里,其簡要圖形如圖5所示。

產(chǎn)品中功率器件結構圖

圖5 產(chǎn)品中功率器件結構圖

  圖5中陰影部分為硅膠、樹脂等灌封料,其作用主要有兩個:一方面用于固定半成品;另一方面用于傳導功率器件表面的溫度(散熱)。所以從結點到環(huán)境的熱阻RthJA就可以表示為:

  RthJA=[(RthJC1+RthC1E+RthEI+RthIC2+RthC2A)·(RthJT+RthTS+RthSB+RthBA)]/ [(RthJC1+RthC1E+RthEI+RthIC2+RthC2A)+
(RthJT+RthTS+RthSB+RthBA)] (3)

  那么對應于消耗了功率Ploss時結點的溫升就可以求出來了:

  TJ=TA+Рloss·RthJA (4)

  其中,TA是功率元器件幾何中心在上表面的投影所點所對應的溫度值。

  不過,式(4)成立還需要滿足以下條件:這個產(chǎn)品只有一個熱點(hot points)或者多個熱點(hot points)之間的熱傳導造成的影響很小或者可以忽略不計;該功率器件的熱量只參與向上或者向下傳遞,而不考慮其他方向即滿足2R法。

  當存在多個熱點并且溫度分布不均時,這時候考慮更多的就是靠經(jīng)驗公式了。而經(jīng)驗公式也需要下面的方法來加以修正和完善。

  2 直接測量法

  對溫升的測量,還有一種測量方法也是比較簡單且現(xiàn)在常用的方法:直接測量法,即測量功率器件工作前以及達到熱平衡后對應的溫度差值。

  理論上,我們只需要保證芯片附近的環(huán)境溫度(TA)不超過結點溫度(TJ)就可以使芯片正常工作。但是實際并非如此,TA這個參數(shù)是按照 JEDEC標準測試而得,實際上產(chǎn)品幾乎不可能滿足這種測試條件。因此,TA在這里對我們沒什么意義。在這種情況下,保守的做法是保證芯片的殼體溫度 Tc﹤TA-max,這樣芯片還是可以正常工作的。但從可靠性的角度,我們最好要求Tc小于Tj-max按一定等級降額后的值。對Tc的測量現(xiàn)在常用的做法有三種。

 ?。?)熱示指法(Temperature indicators):直接用以熱試紙(Thermopaper)貼于功率器件的case處,根據(jù)熱試紙表面的顏色讀出此時對應的Tc值。這種方法比較簡單,但是對于自然風冷的產(chǎn)品來說,貼上熱試紙則不利于散熱,實際測出的值應該是偏高的。

 ?。?)紅外成像法(Thermal Imagine):利用紅外成像的原理直接測量元器件在熱平衡的條件下的表面溫升。如Fluke公司的Ti20或者FLIR Systems公司的產(chǎn)品等。

等溫面

圖6 等溫面



關鍵詞: 模塊電源 熱測試

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