提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法

摘要

在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)用筆記介紹了使用代碼區(qū)域Flash 來模擬EEPROM，通過一定的軟件處理算法，可以大大增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)周期的一種方法。本文給出了實(shí)現(xiàn)上述功能的軟件流程。

1. 嵌入式Flash 存儲(chǔ)介質(zhì)與EEPROM 的主要特性對(duì)比

電可擦除和編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）是在絕大多數(shù)嵌入式應(yīng)用中都會(huì)使用到的用于保存非易失性數(shù)據(jù)的關(guān)鍵器件，用于在程序運(yùn)行期間保存數(shù)據(jù)。Flash 閃存（Flash Memory，簡(jiǎn)稱為Flash）是一種非易失性（ Non-Volatile ）存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種嵌入式處理器中，用于存儲(chǔ)程序代碼。

由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲(chǔ)器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達(dá)到使用要求。對(duì)一些普通的應(yīng)用場(chǎng)合，這種使用方式可以滿足要求。

表一 EEPROM與Flash 對(duì)比分析

1.1 寫訪問時(shí)間

由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同，所以寫訪問時(shí)間也不相同。Flash 具有更短的寫訪問時(shí)間，所以更適用于對(duì)存儲(chǔ)速度有要求的場(chǎng)合。

1.2 寫方法

外置EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM的最大不同之處在于寫的方法。

EEPROM：對(duì)EEPROM 的寫操作不需要額外的操作，只需要提供電源供給；但是一旦啟動(dòng)寫操作流程后，寫操作不能夠被打斷。所以需要外接電容器等措施來保證在芯片掉電時(shí)能夠維持供電，保證完成數(shù)據(jù)操作。

Flash 模擬EEPROM：當(dāng)芯片上電后，寫操作可以被電源掉電和芯片復(fù)位打斷。和EEPROM 相比，需要應(yīng)用設(shè)計(jì)者增加相關(guān)的處理來應(yīng)對(duì)可能存在的異常。

1.3 擦寫時(shí)間

EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM在擦除時(shí)間上存在很大的差異。與Flash 不同，EEPROM 在進(jìn)行寫操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要幾個(gè)毫秒時(shí)間進(jìn)行擦除操作，所以如果在進(jìn)行擦除操作的過程中出現(xiàn)電源掉電的情況，需要軟件做相關(guān)的保護(hù)處理。為了設(shè)計(jì)一個(gè)健壯的Flash 存儲(chǔ)器的管理軟件，需要深入的了解和掌握Flash 存儲(chǔ)器的擦除過程特性。

2. 增加Flash 模擬EEPROM 擦寫壽命的方法

可以根據(jù)用戶的需求采用不同的方法實(shí)現(xiàn)Flash 存儲(chǔ)器模擬EEPROM。

2.1 虛擬地址加數(shù)據(jù)方案

通常需要兩個(gè)頁(yè)以上的Flash 空間來模擬EEPROM。上電后，初始化代碼先查找出有效頁(yè)，同時(shí)將另外一個(gè)頁(yè)初始化為擦除狀況，以提供字節(jié)寫的能力，并用作備份和隨時(shí)準(zhǔn)備執(zhí)行寫入操作。需要存儲(chǔ)EEPROM 的變量數(shù)據(jù)首先寫入有效頁(yè)，當(dāng)有效頁(yè)寫滿后，需將所有數(shù)據(jù)的最后狀態(tài)保存到備份頁(yè)，并切換到備份頁(yè)進(jìn)行操作。每一頁(yè)的第一個(gè)字節(jié)通常用來指示該頁(yè)的狀態(tài)。

每個(gè)頁(yè)存在3 種可能狀態(tài)：

• 擦除態(tài)：該頁(yè)是空的。
• 已寫滿數(shù)據(jù)狀態(tài)：該頁(yè)已經(jīng)寫滿數(shù)據(jù)，準(zhǔn)備切換到下一個(gè)頁(yè)進(jìn)行操作。
• 有效頁(yè)狀態(tài)：該頁(yè)包含著有效數(shù)據(jù)并且標(biāo)示狀態(tài)尚未改變，所有的有效數(shù)據(jù)全部拷貝到了已經(jīng)擦除的頁(yè)。

下圖以采用兩個(gè)頁(yè)模擬EEPROM的方式為例，描述了頁(yè)狀態(tài)字的在頁(yè)0 和頁(yè)1 之間的切換過程。

采用這種方式，用戶不知道數(shù)據(jù)刷新的頻率。

下面的圖例以采用兩個(gè)頁(yè)模擬EEPROM 的應(yīng)用方式為例進(jìn)行描述。為了方便獲取模擬EEPROM數(shù)據(jù)和更新數(shù)據(jù)內(nèi)容，每個(gè)存儲(chǔ)變量元素都在Flash 里定義了一個(gè)操作單元，在該操作單元中對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)變量元素都分配一個(gè)虛擬操作地址，即一個(gè)EEPROM 操作單元包含一個(gè)虛擬地址單元和一個(gè)數(shù)據(jù)單元。當(dāng)需要修改數(shù)據(jù)單元內(nèi)容時(shí)，新的數(shù)據(jù)內(nèi)容和之前分配的虛擬地址一同寫入一個(gè)新的模擬EEPROM存儲(chǔ)器單元中，同時(shí)返回最新修改的數(shù)據(jù)內(nèi)容。EEPROM存儲(chǔ)單元格式描述如圖二。

使用虛擬地址加數(shù)據(jù)的方案總結(jié)如下。

• 為每一個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)變量分配一個(gè)虛擬地址，該虛擬地址需一同存入Flash 中。當(dāng)讀取存儲(chǔ)變量?jī)?nèi)容時(shí)，需根據(jù)該變量的虛擬地址搜索虛擬EEPROM并返回最后更新的內(nèi)容。
• 在軟件處理上，需要記錄下一次寫入的物理目的地址；在每一次執(zhí)行寫入操作后，根據(jù)EEPROM存儲(chǔ)單元大?。ú僮髁６龋瑢⒛康牟僮髦羔樧詣?dòng)累加。
• 當(dāng)一個(gè)頁(yè)（Page）寫滿后，需要將所有變量的EEPROM數(shù)據(jù)拷貝到下一個(gè)頁(yè)，再執(zhí)行該頁(yè)的擦除操作。
• 在嵌入式軟件處理上需加入合適的校驗(yàn)機(jī)制，保證寫入數(shù)據(jù)的正確性并監(jiān)Flash 是否已經(jīng)失效。

2.2 劃分子頁(yè)方案

在Flash 中劃分出至少2 個(gè)頁(yè)（Page）用作模擬EEPROM，根據(jù)應(yīng)用需求將需寫入EEPROM 進(jìn)行保存的變量數(shù)據(jù)劃分成一個(gè)定長(zhǎng)的數(shù)組（子頁(yè)），例如16 個(gè)字節(jié)或者32 字節(jié)，將頁(yè)劃分成若干子頁(yè)后，需對(duì)Flash 中的所有子頁(yè)按照地址順序進(jìn)行逐次編號(hào)。每個(gè)子頁(yè)的第一個(gè)字節(jié)通常用來指示該子頁(yè)的狀態(tài)，子頁(yè)狀態(tài)可以為：空、已寫入或者失效。

在芯片上電初始化時(shí)，首先查找出第一個(gè)尚未寫入數(shù)據(jù)的子頁(yè)，并進(jìn)行標(biāo)識(shí)，在進(jìn)行寫EEPROM操作時(shí)，應(yīng)用程序需將待寫入EEPROM 子頁(yè)的所有數(shù)據(jù)按照事先約定好的順序整理好，再一次性將所有變量數(shù)據(jù)寫入空的子頁(yè)中，最后將模擬EEPROM 的操作指針指向下一個(gè)空閑的子頁(yè)，等待下一次寫入。待將一個(gè)頁(yè)的數(shù)據(jù)寫滿后，再進(jìn)行一次擦除操作。需要處理好指向子頁(yè)的指針的跳轉(zhuǎn)。

每個(gè)頁(yè)存在3 種可能狀態(tài)：

擦除態(tài)：該頁(yè)是空的。

已寫滿數(shù)據(jù)狀態(tài)：該頁(yè)已經(jīng)寫滿數(shù)據(jù)。

有效頁(yè)狀態(tài)：該頁(yè)包含著有效數(shù)據(jù)并且該頁(yè)尚未寫滿，仍可向子頁(yè)寫入數(shù)據(jù)。

圖三介紹了使用子頁(yè)的方式實(shí)現(xiàn)Flash 模擬EEPROM的數(shù)據(jù)處理方法。