SoC存儲(chǔ)器的智能電源連接方法

最差IR壓降的分析

讓我們考慮兩種情況的分析，具體條件如下：

功率IR壓降的分析條件

Pbcs30V132V132T150

輸出負(fù)載：400ff

輸入轉(zhuǎn)換：200ps

最大切換，所有輸出切換

地址和數(shù)據(jù)輸入的最大轉(zhuǎn)換

寄生參數(shù)：Cmin（最大R，最小C）

供應(yīng)網(wǎng)RC，只有信號(hào)RC網(wǎng)

標(biāo)簽偏移量（從底部開(kāi)始）：10um、15um、20um

標(biāo)簽頻率：50um

1.只限定捆扎頻率-對(duì)于每個(gè)電源供應(yīng)（VDDA/VDDP/VSSA/VSS），都必須嚴(yán)格遵守捆扎頻率為50微米。

不帶偏移量時(shí)MBLK CM8的IR結(jié)果

2.同時(shí)限定捆扎頻率和偏移量-在這種情況下，我們會(huì)既考慮偏移量又考慮捆扎頻率，而不是只考慮捆扎頻率。偏移值必須小于捆扎頻率。

我們通過(guò)改變M5帶的偏移值做了幾個(gè)實(shí)驗(yàn)，得到了以下結(jié)果。很明顯，相對(duì)于沒(méi)有偏移量的實(shí)驗(yàn)，IR壓降下降了20-30％。偏移值應(yīng)同時(shí)用于頂部線(xiàn)和底部線(xiàn)。

即使在僅使用捆扎頻率就能滿(mǎn)足IR壓降指標(biāo)的情況下，在使用捆扎頻率的同時(shí)使用偏移量的概念作為補(bǔ)充，可以顯著節(jié)省電網(wǎng)線(xiàn)路（針對(duì)同樣的IR指標(biāo)）的數(shù)量。

帶偏移量時(shí)MBLK CM8的IR結(jié)果

注意事項(xiàng)

1.上述IR壓降的數(shù)據(jù)適用有功電流

2. Vdd的通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)為5％（下降+上升）

3.電壓降值單位為毫伏。

本文小結(jié)

正如上述圖表所示，相對(duì)于那些沒(méi)有使用偏移值的實(shí)驗(yàn)，在使用偏差值的實(shí)驗(yàn)中IR得到了明顯的改善，IR壓降改善了大約20-30％。將偏移值概念用于系統(tǒng)芯片存儲(chǔ)器的連接，能夠極大地改進(jìn)IR壓降水平，同時(shí)也改善了硅結(jié)果。這項(xiàng)用于將存儲(chǔ)器連接至系統(tǒng)芯片的方案（同時(shí)運(yùn)用偏移值和strapping），也可以應(yīng)用于其他硬宏，如閃存和其他模擬模塊。

對(duì)于給定的IR壓降目標(biāo)，相對(duì)于僅僅使用strapping，偏移量與strapping的結(jié)合使用還能夠節(jié)省大量的電網(wǎng)線(xiàn)路。上述概念已被用于各種實(shí)時(shí)設(shè)計(jì)，硅結(jié)果表明最小壓降值（Vmin）有了明顯的進(jìn)步。

參考文獻(xiàn)

1.《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖》半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)，2005年。

2.《Gigascale系統(tǒng)級(jí)芯片（GSoC）的全球互聯(lián)建模》，作者Zarkesh-Ha P.，提交給佐治亞理工學(xué)院學(xué)術(shù)學(xué)院的博士論文，2001年2月。