射頻結(jié)環(huán)行器的設計流程與仿真
k/μ參數(shù)為張量磁導率非對角分量除以對角分量,他也是鐵氧體的磁參數(shù)。
kR為貝塞爾函數(shù)的宗量,其中R是鐵氧體的半徑,k為波數(shù) 。而μeff,μ,k這些磁參數(shù)取決于鐵氧體歸一化磁矩和歸一化內(nèi)磁場。在飽和磁化且無耗情況下的磁參數(shù)k,μ,μeff可由下式獲得:
式中,p和σ分別代表歸一化飽和磁矩和歸一化內(nèi)場:
式中,Ms為鐵氧體飽和磁化強度;Hi為外加偏置磁場的大小。
下面分析主要的設計流程:
首先確定kR,即選取半徑R以及選取磁場工作點,確定μeff,k/μ,得到kR。再計算y,即已知kR,由第一環(huán)行條件計算得y。通常由y得到的 結(jié)阻抗Rj是無法與連接環(huán)行器的傳輸線。因為一般傳輸線特性阻抗為50 Ω,環(huán)行器需匹配才能接人,故必須添加匹配網(wǎng)絡,或者改變結(jié)構(gòu)參數(shù),尤其是H或φ,ξ1,ξ2等,使系統(tǒng)匹配。
然后計算k/μ,即已知kR及y,由第二環(huán)行條件計算得k/μ。若計算結(jié)果符合之前由p和σ所確定的k/μ值,則設計成功;否則需重新確定kR,進行循環(huán)計算,直到符合條件為止,可由Matlab進行計算,通常誤差在0.05以內(nèi)是可以接受的。
從以上設計流程中可以看出,結(jié)環(huán)行器設計的關鍵是在于選取R,p和σ,因而需要給出一個合理的范圍。例如對于低場器件,為了避免零場損耗,p通常選 在0.4~0.7之間,而外加磁場要使材料飽和,即σ=0,偏置磁場為0??傻胟/μ=p;μeff=1-P2。至于R的選取,如果考慮器件小型化,則應 盡可能??;反之,若是高功率應用,則必須大一點。通常kR的值在0.8~1.8之間確定,而對于高場器件,必須使σ>1,p>1,同時也不能 太大,大致范圍為1.5σ2,1 p 2。
3 仿真結(jié)果與分析
本文研究的頻率范圍為GSM接收端的925~960 MHz,屬于微波頻率段的低端,所以環(huán)行器所需的偏置磁場選用高于鐵氧體諧振場。處于高場工作,器件尺寸才能盡可能小,同時也要求較高磁化強度的飽和磁化 材料和較高的偏置磁場。仿真選用飽和磁化強度為1 800高斯(Gauss),線寬△H為40奧(Oe),損耗角正切tan δ=O.005的鐵氧體材料。
參照上述設計流程計算得到的參數(shù)為,R=4.0 mm,R0=1O mm,W=3.1 mm,φs=36,φ=22,H=2.2l mm,t=0.2 mm,k/μ=0.52,歸一化導納y=4.53,結(jié)阻抗Rj=14.6,環(huán)行條件誤差為0.003。在計算機上使用HFSS電磁場仿真軟件進行三維建模 仿真,設置好合適的邊界條件和激勵源。仿真分別對工作頻率F以及內(nèi)偏置磁場強度Hi進行了掃描,對性能參數(shù)作了對比分析。由于匹配部分使用的是二級非遞增 式匹配,計算得到的結(jié)果在仿真中性能并不是最理想,見圖2。這里使用HFSS自帶的優(yōu)化功能OPtimetrics模塊,以環(huán)行器的結(jié)構(gòu)參數(shù)為變量,創(chuàng)建 COST函數(shù)為目標函數(shù)進行優(yōu)化,環(huán)行性能得到很大改善,見圖3。另外通過對內(nèi)磁場大小的比較,分析可得在相同外形尺寸的條件下,內(nèi)磁場的大小對環(huán)行器的 性能影響非常大,尤其在接近諧振頻率處曲線更陡峭,見圖4。在諧振頻率940 MHz處選擇最佳內(nèi)場接近39 000(A/m)。通過對內(nèi)磁場多次循環(huán)微調(diào),最終性能曲線為頻帶內(nèi)隔離度大于24 dB,插損小于0.3 dB,回波損耗大于26 dB,電壓駐波比(VSWR)小于1.12。諧振點處隔離度為41 dB,插損為0.22 dB,回波損耗38 dB,電壓駐波比(VSWR)為l.03,完全滿足實際GSM高性能要求。從電場能量示意圖明顯可以看出1~3端口的能量傳輸,而2端口近乎無能量,被隔 離,見圖5。仿真結(jié)果證明,按照本文的設計方法得出的參數(shù)值已非常接近最佳性能指標,驗證了本文的設計流程以及仿真是切實可行的。
4 結(jié) 語
對于雙Y結(jié)環(huán)行器的鐵氧體環(huán)行器研究和設計,按照環(huán)行條件給出了自己的設計方案,通過仿真軟件對設計結(jié)果進行了檢驗,證明了設計的正確性,可行性和實際應用價值。對一般結(jié)環(huán)行器設計有較強的指導意義,符合現(xiàn)代更高的性能優(yōu)勢和小型化特點的發(fā)展趨勢。
評論