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基于SFCR新型介質(zhì)的X波段壓控振蕩器的研制

作者: 時間:2014-12-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

  4 實物制作及測試結果

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/267447.htm

  通過以上仿真設計,得到了振蕩器的元器件參數(shù)的初值。我們采用微波薄膜混合集成工藝來完成實物的制作。整個負阻電路制作在一塊氧化鋁陶瓷基片上,通過鍵合金絲將引入到振蕩管的基極。調(diào)節(jié)鍵合絲的長度,可以調(diào)節(jié)與負阻電路的耦合強弱,從而控制可調(diào)諧帶寬與相位噪聲,振蕩管和變?nèi)荻O管均選用管芯。最終達到的技術指標如下:

  (1)輸出頻率:8370MHz±15MHz;

  (2)調(diào)諧電壓:1~9V;

  (3)輸出功率:10dBm,緩沖隔離放大器輸出;

  (4)相位噪聲:-92dBc/Hz@10kHz,-115dBc/Hz@ 100kHz(VT= 5V,常溫測試);

  (5)頻率穩(wěn)定度:8 ppm/℃(-40℃~+70℃);

  (6)電壓/電流:12V/60mA;

  (7)外形封裝:SP-1(25.8mm×14.4mm×4.15mm)。

  由上面指標可以知道,該VCDO的調(diào)諧帶寬和相位噪聲都與電調(diào)諧DRO的指標相當,頻率穩(wěn)定度較DRO有一定的差距,但是由于自屏蔽結構的優(yōu)勢,該VCDO的體積相當?shù)匦?下面給出實物對照圖:

  

 

  圖4 實物測試曲線(VT= 5V)

  

 

  圖5 VCDO與DRO實物對比圖

  5 結論

  在現(xiàn)代CAD仿真設計軟件的幫助下,本文基于負阻振蕩器的基本理論,采取調(diào)諧振蕩器負阻電路部分的狀態(tài)的方法來達到改變整個負阻振蕩器的輸出頻率的方法成功設計并制作了一個新型介質(zhì)壓控振蕩器—VCDO。由于基于SFCR介質(zhì)壓控振蕩器(VCDO)體積小、指標優(yōu)良,具有較好的實用前景。


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關鍵詞: SFCR X波段 VCO

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