用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限

　　一般地,EEPROM存儲(chǔ)器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬次,超過這一極限時(shí),該單元就無法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中，可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時(shí)，可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限。

　　我們有一個(gè)單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來做：

　　1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元。

　　2、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中。

　　3、每次要對(duì)E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫時(shí)，先讀取00H中的數(shù)據(jù)，并以讀出的值為地址，訪問其指向的單元。

　　4、在每次寫完數(shù)據(jù)后，立即將數(shù)據(jù)再讀出，并與寫入的地址做比較。

　　A、如果相等，則代表本次寫入數(shù)據(jù)成功。

　　B、如果不相等，則代表本次寫入數(shù)據(jù)失敗。這時(shí)，將00H中的值+1，讓其指向后一個(gè)新的地址單元，再將數(shù)據(jù)寫入新的地址單元。

　　93C56共有128個(gè)字節(jié)單元，按照以上方法，可將數(shù)據(jù)的擦寫次數(shù)提升120多倍!達(dá)到1200多萬次!

　　對(duì)于24C16/32/64系列的芯片，也可采用這種方法。

　　補(bǔ)充二點(diǎn)

　　1. EEPROM單元壞與不壞界線很是模糊. EEPROM單元能寫入信息是因?yàn)樗母拍芊@電子并將其困在其中. 但隨著時(shí)間的推移電子由于熱運(yùn)動(dòng)或外界給予能量會(huì)逐漸逃逸, 所以說EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年). 寫入與擦除信息即是向浮柵注入和釋放電子,電子能量比較高,可能改變周圍的晶格結(jié)構(gòu),導(dǎo)致浮柵俘獲電子能力的下降,也就是表現(xiàn)為保存信息的時(shí)間變短, 所以才會(huì)有一個(gè)保守的寫入次數(shù)限制(這里說保守是因?yàn)榘雽?dǎo)體的離散性大,實(shí)際的次數(shù)大得多). 到了規(guī)定寫入次數(shù)并不是說該單元就壞了, 而是說該單元保持信息的時(shí)間已不可信賴(而實(shí)際上它可能還能保存相當(dāng)長時(shí)間甚至幾十上百年),所以實(shí)際上短時(shí)間很難判定某個(gè)單元是否可用(壞了). 如匠人的方法檢測(cè), 寫入時(shí)測(cè)試好好的, 可能幾秒鐘之后該單元的數(shù)就逃了.

　　2. 寫壞一個(gè)單元是很費(fèi)時(shí)間的, "這個(gè)方法，小匠使用過多次，證明是可行的。不知匠人在使用過程中是否碰到過有寫壞的情況。