基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)
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與一般布局的存儲(chǔ)器相比,采用這兩種技術(shù)使存儲(chǔ)器的功耗降低了43% ,而面積僅增加了18%。
嵌入式存儲(chǔ)器的容量及其在系統(tǒng)芯片中所占的面積越來(lái)越大,對(duì)其操作所帶來(lái)的動(dòng)態(tài)功耗成為系統(tǒng)芯片功耗中重要的組成部分,因此,必須尋求有效的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù),以降低嵌入式存儲(chǔ)器對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響。為了降低存儲(chǔ)器的功耗,人們采用了字線分割、分級(jí)字線譯碼以及字線脈沖產(chǎn)生等技術(shù),大大降低了存儲(chǔ)器的動(dòng)態(tài)功耗。 另外一種能有效降低存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)功耗的技術(shù)就是位線分割(DBL)。 針對(duì)系統(tǒng)要求,筆者采用DBL結(jié)構(gòu)以及一種存儲(chǔ)陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu),完成了64 kb嵌入式存儲(chǔ)器模塊的設(shè)計(jì)。
參數(shù)的修正與公式的重新推導(dǎo)
DBL結(jié)構(gòu)的原理
DBL結(jié)構(gòu)就是通過(guò)將兩個(gè)或者多個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元進(jìn)行合并,以減少連接到位線上的晶體管數(shù)目,從而減小位線電容,達(dá)到降低存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)功耗的目的。 圖1w給出了將4個(gè)SRAM單元連接在一起并通過(guò)傳輸管連接到位線上的電路示意圖。 與一般布局的位線結(jié)構(gòu)相比,圖1w所示的DBL結(jié)構(gòu)中連接到位線上的傳輸管數(shù)目減少了3 /4。
DBL結(jié)構(gòu)有兩個(gè)關(guān)鍵:第1,確定存儲(chǔ)陣列行數(shù)N 與合并的單元個(gè)數(shù)M 之間的最優(yōu)關(guān)系。 所謂最優(yōu)是指合并后存儲(chǔ)器的動(dòng)態(tài)功耗最小。 對(duì)于這個(gè)關(guān)系,文獻(xiàn)[ 1 ]中給出了相應(yīng)的公式:
pnor = (1 /M + 0.1) + 2 linux操作系統(tǒng)文章專(zhuān)題:linux操作系統(tǒng)詳解(linux不再難懂)
評(píng)論