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新型高Q值U形缺陷地結(jié)構(gòu)帶阻濾波器

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作者: 時(shí)間:2007-12-14 來(lái)源: 收藏

  1999年,韓國(guó)學(xué)者J.I.Park等人在研究光子帶隙(PBG——photonic bandgap)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上提出了缺陷地結(jié)構(gòu)(——defected ground structure),由于PBG結(jié)構(gòu)往往達(dá)到厘米甚至分米級(jí),過(guò)大的尺寸使其在要求結(jié)構(gòu)緊湊的微波毫米波組件中的應(yīng)用受到限制,另外PBG結(jié)構(gòu)的電路模型比較復(fù)雜,同時(shí)影響帶隙特性的參數(shù)較多。僅有一個(gè)缺陷單元就可形成阻帶,且電路模型容易建立,因而應(yīng)用更為廣泛,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于功分器、和功率放大電路等微波電路中。目前應(yīng)用較多的DGS單元是啞鈴形的或者是螺旋形的,均不能滿足窄帶抑制的要求。筆者提出了一種新型的DGS單元,在接地板上刻蝕一個(gè)U形的結(jié)構(gòu),該DGS可以具有比傳統(tǒng)DGS更高的Q值,通帶的波紋更小且損耗更低。

  1 新型DGS的特性分析

  圖1為所提出的U形缺陷地結(jié)構(gòu),尺寸為l=10mm,c=g=0.4 mm,d=1.0 mm,50 Ω的標(biāo)準(zhǔn)微帶線,介質(zhì)板高度為1.27 mm,εr為10.2,用電磁仿真軟件HFSS 9.2(Ansoft公司)進(jìn)行分析,其S參數(shù)如圖2所示。從圖2中可以看出,S21在3.3 GHz衰減為29.17dB,經(jīng)計(jì)算其Q值為21.3,比Q值通常小于10的啞鈴形和螺旋形缺陷地結(jié)構(gòu)高很多,且通帶的波紋很小。

  

  圖3為U形DGS的傳輸特性隨l變化的情況,尺寸d=1.0 mm,c=g=0.4 mm不變,隨著l的增加,帶寬和諧振頻率降低,從表1計(jì)算的Q值可以得出,Q值隨l的變化很小。

  

  圖4為DGS的傳輸特性隨g的變化情況,其它尺寸l=10 mm,d=1.0 mm,c=0.4 mm不變,隨著g的增加,諧振頻率降低,在表2中可以看出,隨著槽寬g的增加,Q值減小,當(dāng)g減小時(shí),等效電容增加,因此Q值增加。

  

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  圖5為傳輸特性隨d變化的情況,計(jì)算的Q值列在表3中,隨著d的減小,Q值快速增加。這是因?yàn)閐的減小引起了等效電容的快速增加。

  

  另外,因?yàn)镈GS的等效電路為并聯(lián)電路,而在并聯(lián)電路中,Q值正比于

  

,因此在圖1所示U形DGS中加上一個(gè)貼片,如圖6所示。黑色部分為貼片,其距DGS左側(cè)的距離a為0.5 mm,距其它側(cè)都為0.1mm,這樣在導(dǎo)帶和接地板之間額外地增加了電場(chǎng),導(dǎo)致了等效電容的增加。加入貼片后,由于并未明顯改變U形結(jié)構(gòu)周?chē)碾娏鳎虼穗姼凶兓幻黠@,故Q值增大,由諧振頻率的公式(1)可知諧振頻率降低了(3.2 GHz),其S21參數(shù)如圖7所示,驗(yàn)證了理論的正確性。

  

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  2 的設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果

  圖8為所設(shè)計(jì)的由三個(gè)U形DGS單元級(jí)聯(lián)的,其尺寸為l=9 mm,c=g=0.4 mm,d=1.0 mm,微帶線的特性阻抗為50Ω,介質(zhì)板高度h為1.27mm,εr為10.2,金屬導(dǎo)帶的寬度W=1.105 mm,金屬導(dǎo)帶和金屬接地板由銅制成。單元之間的距離a為0.3 mm。

  

  實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果如圖9所示,從圖9中可以看出,在通帶內(nèi)波紋小,反射損耗低,從仿真結(jié)果得出Q值為23.2。

  

  從實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果可以得到,在諧振頻率4.39 GHz處衰減為-32 dB,Q值為35.3。

  3 結(jié)論

  提出了一種新型的U形DGS單元,它具有高的Q值,同時(shí)通帶內(nèi)的波紋很小,且損耗低。所設(shè)計(jì)的由三個(gè)U形DGS單元級(jí)聯(lián)的微帶濾波器,其仿真結(jié)果得到了矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(HP8722D)的證實(shí)。測(cè)量結(jié)果表明:新型的DGS單元具有高Q值,在通帶內(nèi)波紋小且損耗低的特性。從上面的結(jié)論可以看出,新提出的DGS單元可以有效地用于各種微波集成電路(MIC)、單片微波集成電路(MMICs)和低溫共燒陶瓷(LTCC)多層微波電路等領(lǐng)域中。

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