從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
摘要:本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關系。
1、 引言
半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)(Safe Operating Area簡稱SOA)使用引起的。因此全面了解SOA,并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極—發(fā)射極電壓Vce控制在SOA之內(nèi)是十分重要的。SOA分為正偏安全工作區(qū)(FBSOA)、反偏安全工作區(qū)(RBSOA)、開關安全工作區(qū)(SSOA)和短路安全工作區(qū)(SCSOA)。
2、 各安全工作區(qū)的物理概念
IGBT的SOA表明其承受高壓大電流的能力,是可靠性的重要標志。
2.1正偏安全工作區(qū)(FBSOA)
FBSO是處于Vge>閾值電壓Vth的輸出特性曲線的有源區(qū)之內(nèi),如圖1所示。圖1中ABCDO所包圍的區(qū)域為直流安全工作區(qū)。AB段為tc=80℃限制的最大直流電流Ic。B點對應的IC和Vce的乘積等于最大耗散功率Pcm。BC段為等功耗線。CD段為二次擊穿限制的安全工作區(qū)的邊界,此段不是等功耗。隨著Vce的增加功耗下降,Vce越高功耗越低。這說明高電壓強電場狀態(tài)更容易出現(xiàn)失效。
由圖1可見,隨著脈沖寬度減小SOA擴大。這里要說明的是手冊給的FBSOA,除DCSOA之外。一定脈沖寬度下的脈沖SOA,均是單脈沖安全工作區(qū)。而且FBSOA只考慮導通損耗,不包括開關損耗。所以FBSOA只適用功率放大器的A類、B類及短路工作沒有開關損耗的工作狀態(tài)。對于一定脈寬和占空比的連續(xù)工作,其安全工作區(qū)應使用瞬態(tài)熱阻曲線的計算來確定。{{分頁}}
2.2反偏安全工作區(qū)(RBSOA)
RBSOA是表明在箝位電感負載時,在額定電壓下關斷最大箝位電感電流Ilm的能力。Ilm一般是最大DC額定電流的兩倍,而額定電壓接近反向擊穿電壓。PT型IGBT和NPT型IGBT的反偏安全工作區(qū)略有不同。PT型IGBT的RBSOA是梯形SOA,NPT型IGBT的RBSO是矩形SOA。如圖2所示??梢奛PT型IGBT。在額定電壓下關斷箝位電感電流的能力強于PT型IGBT。因此,PT型IGBT不適用于電感負載電路和馬達驅(qū)動等電路,而且短路持續(xù)時間TSC較短,一般不給出短路安全工作區(qū)。所以,NPT型IGBT的可靠性高于PT型IGBT。
2.3開關安全工作區(qū)(SSOA)
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開關字全工作區(qū)如圖3所示。由圖2和圖3可見,SSOA和RBSOA相似,都是矩形的。所不同的是RBSOA只考慮關斷時承受高電壓大電感電流的能力。SSOA不僅考慮關斷狀態(tài),同時也考慮開啟瞬間。所以SSOA兼顧FBSOA和RBSOA兩種狀態(tài)的考慮。另外,縱坐標的電流,RBSOA是Iim ;而SSOA是最大脈沖電流Icm。一個是最大箝位電感電流,一個是最大脈沖電流。而且兩者在手冊中給出的數(shù)值又是相等的?,F(xiàn)在有的公司只給出SSOA,不再給出FBSOA和RBSOA。在IGBT開啟時,往往是Vce沒有降下來,Ic就達到負載電流Il。在有續(xù)流作用時還要達到Ic +Ir r m。Ir r m為續(xù)流二極管的最大反向恢復電流,因此導通過程也存在高壓大電流狀態(tài)。
2.4短路安全工作區(qū)(SCSOA)
SCSOA是IGBT C—E間處于高壓(額定反向電壓)下,G—E間突然加上過高的柵壓Vg,過高Vg和高垮導的作用出現(xiàn)短路狀態(tài),其短路電流ISC可高達10倍的額定電流IC。這和SSOA的開通狀態(tài)比較相似,但ISC>Icm。在整個短路時間Tsc中,IGBT始終處于導通狀態(tài)。在此狀態(tài)下IGBT的耗能在四種安全工作區(qū)最大,出現(xiàn)失效的幾率也最高。SCSOA如圖4所示。
3、 超SOA的失效機理
安全工作區(qū),顧各思義工作在SOA內(nèi)是安全的,超出將是不安全的,或引起失效。由于四種安全工作區(qū)的偏置狀態(tài)不同,超出SOA的失效機理也是不同的。FBSOA、SCSOA和SSOA的開啟狀態(tài)均為正偏,而RBSOA為反偏。眾所周知,IGBT失效的主要原因是寄生SCR的鎖定(Latch-up)和超結(jié)溫tj工作出現(xiàn)的燒毀。
(1)RBSOA的失效:在額定電壓下關斷箝位電感電流Ilm時,由于關斷來自IGBT發(fā)射極的溝道電子電流,寄生PNP管發(fā)射極注入到高阻漂移區(qū)(PNP管的是基區(qū))的少子空穴一部經(jīng)過PNP管的基區(qū)從IGBT的發(fā)射極流出。當該空穴電流Ih在NPN管的基區(qū)電阻R b上壓降Ih
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