利用基于閃存的MCU實現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)存儲

　　第一步有些技巧，因此我們稍詳細地進行介紹。執(zhí)行這一步的簡單方法是將它分成兩小步：第一步，使用RAM陣列存儲記錄號和陣列中最新記錄的地址；第二步，穿過RAM陣列將最新的記錄拷貝到新的閃存頁。這個過程很快，相對也比較順利。

　　這種方案的問題是所用處理器(見圖1)的RAM為1K字。這種方案將限制可存儲進RAM中的單一數(shù)據(jù)數(shù)量，因為這個RAM還要節(jié)省下來用作緩存。這是明顯不能接受的。

　　這種解決方案非常耗時，但不管存儲陣列多大(在合理范圍內(nèi))都能正常工作。該方案不會在RAM中創(chuàng)建一份指針列表，而是針對每個單一條目(entry)在源陣列中作多次穿越。因此壓縮算法變?yōu)椋?/p>

　　1. 從源陣列中讀一個單元；

　　2. 在目標陣列中尋找該單元。如果找到了，表示這個單元已經(jīng)被寫入。增加源指針值，回到第(1)步；

　　3. 掃描源陣列尋找單元的最新拷貝；

　　4. 將數(shù)據(jù)單元的最新拷貝寫入目標陣列；

　　5. 增加源指針，并回到第(1)步。

　　最終，在目標陣列中每個數(shù)據(jù)單元都有一個唯一的條目。圖4描述了一個已填滿的頁。源頁現(xiàn)在可以被安全地刪除，頁的頭部被寫入到目標陣列。

圖4：在空間恢復之后的圖2所示數(shù)據(jù)頁內(nèi)容

　　這個過程的構建使得存儲的數(shù)據(jù)非常安全。在使用閃存器件時必須面對的危險是寫入或擦除操作期間發(fā)生電源故障。

　　如果發(fā)生電源故障，則有可能一個或多個頁被破壞(在寫入時)，或未被完全刪除(在刪除操作時)。但上述壓縮操作本身是安全的。因為：

　　1. 如果在寫入操作期間發(fā)生電源故障，源頁是完全不受影響的。在電源恢復后，新寫的頁很容易被識別(它們沒有頁頭)，將其擦除后重新開始寫入操作。

　　2. 如果在舊頁被擦除期間發(fā)生電源故障，它們可能包含無效的頭部。這些頁可以被刪除，然后將頭部增加到新的頁中。

　　3. 如果在頁頭部被寫入新頁時發(fā)生電源故障，數(shù)據(jù)是不受影響的。頁頭部的更新操作可以重新開始。

　　總之，應該沒有什么情況能讓意外事件造成無可挽救地破壞陣列數(shù)據(jù)。

　　性能增強

　　目前的存儲子系統(tǒng)沒有差錯檢測機制。在數(shù)據(jù)單元識別符中目前有6個比特是保留未用的。

　　設計師可以使用CRC6算法(x6+x+1)計算整個數(shù)據(jù)單元的CRC以確保不會產(chǎn)生任何讀或?qū)戝e誤。雖然這不是一個特別可靠的算法(它會從64個多位差錯中漏掉一個)，但它能檢測實際中可能發(fā)生的大多數(shù)差錯。

　　上述系統(tǒng)的另外一個限制是讀取訪問時間必需很長。為了尋找最新的記錄，每一次讀取都必須讀遍陣列中的每個記錄。有三種方法可以用來改善訪問時間：

　　1. 在數(shù)據(jù)單元中留一個空的字用于前向指針。當數(shù)值更新時，在前向指針中填入指向新條目的內(nèi)容。這樣這個表可以當作一個鏈接列表。

　　2. 向后穿越表格?，F(xiàn)在你可以簡單停留在第一次出現(xiàn)的請求單元上。

　　3. 如果只有少量的單一單元，可以在上電時就創(chuàng)建一個包含單元ID和指針的RAM陣列。隨后的訪問將非常迅速—只要讀取RAM陣列就可以發(fā)現(xiàn)到哪里去獲得數(shù)據(jù)單元。