2013年度編輯推薦獎
 


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廠商Logo
廠商名稱(中文) 意法半導(dǎo)體
廠商名稱(英文) STMicroelectronics
公司網(wǎng)址 www.st.com
參與評選類別 最佳綠色節(jié)能方案
產(chǎn)品名稱 600V “V系列” 溝槽柵場終止技術(shù)IGBT
產(chǎn)品型號
產(chǎn)品圖片
參選公司簡介

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù),到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,從醫(yī)療健身設(shè)備,到智能消費(fèi)電子,從家電、汽車,到辦公設(shè)備,從工作到娛樂,意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。

意法半導(dǎo)體2012年凈收入84.9 億美元。詳情請訪問公司網(wǎng)站www.st.com。

參選產(chǎn)品簡介

意法半導(dǎo)體’的600~650V IGBT為工作頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用提供的最大集電極電流范圍為3~150A。 提供了多種版本,并且?guī)в袑S脙?nèi)置式反向并聯(lián)二極管以實(shí)現(xiàn)設(shè)計優(yōu)化。 利用意法半導(dǎo)體’獲得專利的標(biāo)準(zhǔn)沖壓穿透PowerMESH技術(shù)和新引進(jìn)的溝槽柵場終止技術(shù)來實(shí)現(xiàn)該電壓范圍。

這些600~650V IGBT的目標(biāo)應(yīng)用包括家用電器、感應(yīng)加熱、光伏、UPS、焊接和照明。 提供的封裝選項包括D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247長引線和TO-3PF。

650 V溝槽柵場終止IGBT

場終止技術(shù)基于回注式集電極和緩沖器層,能夠在關(guān)斷時作出快速而緊密的反應(yīng)。TGFS IGBT還采用了溝槽柵技術(shù),提高了溝道密度,降低了傳導(dǎo)損耗,大幅提高了效率。此外,TGFS允許降低晶片厚度,提升了晶體管的熱性能,提高了可靠性,簡化了熱管理設(shè)計。

主要受益:

最低總功率損耗實(shí)現(xiàn)更高的節(jié)能

最低的關(guān)斷損耗(Eoff)同時實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)速度

簡單并聯(lián)使用以實(shí)現(xiàn)功率擴(kuò)展

175oC的結(jié)溫,具有更高的耐用性和可靠性