在過去的13年中，英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品- CoolMOSTM，超級結(jié)（SJ）高壓MOSFETs, thinQ! TM 碳化硅肖特基二極管，OptiMOSTM，低壓MOSFETs，和現(xiàn)在的CoolMOSTM CFD2 SJ 650V MOSFETs-都是該哲學(xué)的典型事例。
CoolMOSTMCFD2 是基于具有革命意義的超結(jié)原理之上，是英飛凌第七代高壓功率MOSFETs。該系列是市場上首例將快速體二極管集成在650V 具有超結(jié)技術(shù)的MOSFET之上， 同時也聯(lián)合了極低的導(dǎo)通電阻，最佳導(dǎo)通電阻達(dá)41毫歐。 由此產(chǎn)生的CFD2器件在硬切換的情況下得以限制電壓過沖，同時也減小了導(dǎo)通損耗。同前一代的CFD的產(chǎn)品相比，CFD2大大降低了Qg,因而能夠節(jié)省MOSFETs的驅(qū)動功率。這點(diǎn)在高頻零電壓開關(guān)的拓?fù)渖现陵P(guān)重要。通常來說，MOSFET導(dǎo)通電阻是隨著結(jié)溫的升高而增大的。但是，由于CFD2 采用的是最新的技術(shù)，使得導(dǎo)通電阻的變化范圍會更加狹小。
基于以上提到的特點(diǎn)，CFD2系列MOSFET 可以較好的用于移相零電壓開關(guān)的拓?fù)?，LLC 拓?fù)?，和三電平拓?fù)洹Ｋ鼘τ谕ㄐ耪髌?，服?wù)器電源，UPS 和太陽能電源產(chǎn)品應(yīng)用至關(guān)重要。
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