iP2010采用了IR公司創(chuàng)新的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延功率器件技術(shù)平臺GaNpowIRTM。GaN的電場性能遠(yuǎn)強于硅,而且具有傳導(dǎo)率極佳的器件結(jié)構(gòu),因此基于GaN的器件可以在工作電壓和導(dǎo)通電阻之間取得極佳的折衷。與基于硅的類似器件相比,GaN器件能夠高效地工作在非常高的頻率,因為它們的柵極電荷(Qg)有顯著減少,而且器件開關(guān)RDS(on)*Qg品質(zhì)因數(shù)(FOM)也遠(yuǎn)低于硅。
iP2010目前主要用于服務(wù)器、路由器、交換機和通用轉(zhuǎn)換器中的負(fù)載點(POL)和多相穩(wěn)壓器。iP2010集成了一個與多開關(guān)單片硅基氮化鎵功率器件匹配的專用PowIRtuneTM驅(qū)動芯片。這種專有的PowIRtuneTM驅(qū)動芯片采用了一種超快的檢測機制,能夠通過調(diào)整死區(qū)時間來獲得最優(yōu)性能,并能在各種負(fù)載電流、輸入電壓和溫度條件下保持最佳的死區(qū)時間。由于在單片功率開關(guān)中同時整合了高邊和低邊GaN功率開關(guān),從而消除了寄生開關(guān)損耗,而在使用分立型高邊和低邊開關(guān)的傳統(tǒng)功率級解決方案中,由于使用了銅互連這種損耗無可避免。
iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V,輸出電壓范圍為0.6V至5.5V,在此電壓范圍內(nèi)的輸出電流最高可達30A,工作頻率最高可達3MHz。為了實現(xiàn)比基于硅的先進功率MOSFET更高的效率和兩倍以上的開關(guān)頻率,iP2010器件安裝在倒裝芯片封裝平臺內(nèi),因而無需使用邦定線?;贕aN的先進技術(shù)加上創(chuàng)新的封裝,使得這款集成式器件可針對600kHz至1.2MHz的工作頻率范圍進行優(yōu)化。
因為iP2010能夠工作在比傳統(tǒng)硅解決方案更高的頻率范圍內(nèi),因而在空間非常寶貴的場合它能提供最大的功率密度。通過將功率級電路工作在這些更高的開關(guān)頻率,還能減小輸出電容和電感的值和體積,進而減小整個電路板面積。
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