國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR，紐約證交所代號(hào)IRF)是先進(jìn)功率管理技術(shù)包括數(shù)字、模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件以及功率系統(tǒng)的先驅(qū)及全球領(lǐng)導(dǎo)者。世界頂級(jí)的計(jì)算機(jī)、電器、汽車、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及防御系統(tǒng)的制造商均憑借IR先進(jìn)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)品的卓越性能。今天，功率管理技術(shù)在拯救全球日益委縮的能源資源方面，扮演著前所未有的重要角色，但同時(shí)也要跨越艱巨的技術(shù)障礙。

iP2010采用了IR公司創(chuàng)新的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延功率器件技術(shù)平臺(tái)GaNpowIR^TM。GaN的電場(chǎng)性能遠(yuǎn)強(qiáng)于硅，而且具有傳導(dǎo)率極佳的器件結(jié)構(gòu)，因此基于GaN的器件可以在工作電壓和導(dǎo)通電阻之間取得極佳的折衷。與基于硅的類似器件相比，GaN器件能夠高效地工作在非常高的頻率，因?yàn)樗鼈兊臇艠O電荷（Qg）有顯著減少，而且器件開(kāi)關(guān)RDS(on)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FOM）也遠(yuǎn)低于硅。

iP2010目前主要用于服務(wù)器、路由器、交換機(jī)和通用轉(zhuǎn)換器中的負(fù)載點(diǎn)（POL）和多相穩(wěn)壓器。iP2010集成了一個(gè)與多開(kāi)關(guān)單片硅基氮化鎵功率器件匹配的專用PowIRtune^TM驅(qū)動(dòng)芯片。這種專有的PowIRtune^TM驅(qū)動(dòng)芯片采用了一種超快的檢測(cè)機(jī)制，能夠通過(guò)調(diào)整死區(qū)時(shí)間來(lái)獲得最優(yōu)性能，并能在各種負(fù)載電流、輸入電壓和溫度條件下保持最佳的死區(qū)時(shí)間。由于在單片功率開(kāi)關(guān)中同時(shí)整合了高邊和低邊GaN功率開(kāi)關(guān)，從而消除了寄生開(kāi)關(guān)損耗，而在使用分立型高邊和低邊開(kāi)關(guān)的傳統(tǒng)功率級(jí)解決方案中，由于使用了銅互連這種損耗無(wú)可避免。

iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍為0.6V至5.5V，在此電壓范圍內(nèi)的輸出電流最高可達(dá)30A，工作頻率最高可達(dá)3MHz。為了實(shí)現(xiàn)比基于硅的先進(jìn)功率MOSFET更高的效率和兩倍以上的開(kāi)關(guān)頻率，iP2010器件安裝在倒裝芯片封裝平臺(tái)內(nèi)，因而無(wú)需使用邦定線?；贕aN的先進(jìn)技術(shù)加上創(chuàng)新的封裝，使得這款集成式器件可針對(duì)600kHz至1.2MHz的工作頻率范圍進(jìn)行優(yōu)化。

因?yàn)閕P2010能夠工作在比傳統(tǒng)硅解決方案更高的頻率范圍內(nèi)，因而在空間非常寶貴的場(chǎng)合它能提供最大的功率密度。通過(guò)將功率級(jí)電路工作在這些更高的開(kāi)關(guān)頻率，還能減小輸出電容和電感的值和體積，進(jìn)而減小整個(gè)電路板面積。