- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業(yè)運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規(guī)定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
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英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 混合動力車電力驅動的關鍵組件是電機和電機驅動器，IGBT作為電機驅動器的核心，它的可靠性關系著混合動力車輛的安全運行，本文主要針對IGBT模塊應用于汽車領域，所涉及的可靠性相關問題進行了探討，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應用做出的改進。
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英飛凌 IGBT 可靠性 功率循環(huán) 溫度循環(huán) 201003
- 國際著名電子、電機和工業(yè)產品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。
此次推出的產品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
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RS MOSFET IGBT
- 在新系統架構、控制方法和器件設計中的持續(xù)創(chuàng)新使得太陽能的利用效率更高。這些進步包括從全球政府部門對清潔能源的有力推動，使太陽能利用的前途真正變得光明。
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趨勢 采用 發(fā)展 結構 器件 IGBT
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領先節(jié)能半導體技術供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。
新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產品。
飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列(RC指逆向導通)，可使變頻電機設計更加經濟高效，從而確保采用多個電機的家電實現高達30%的節(jié)能。
洗衣機、冰箱、空調和洗碗機等家電使用的變頻電機驅動裝置，采用電子控制裝置和一個開關電源，以便在不同使用條件下，達到最佳能效。RC IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅動系列將英飛凌行業(yè)領先的TRENCHSTOP™ IGBT技術和續(xù)流二極管集成在單晶粒上，確保器件相對于競爭性解決方
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英飛凌 功率轉換器 IGBT TRENCHSTOP
- 針對不久前結束的哥本哈根會議，中國政府出臺了具體的量化政策，“到2020年我國單位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同時，2010年是“十一五”的最后一年，單位GDP能耗降低20%的目標也需要實現。在“節(jié)能減排”政策的量化、“十一五”的最后沖刺加上可再生新能源應用不斷發(fā)展、智能電網的持續(xù)建設、混合動力和電動汽車市場的刺激等若干利好因素的共同作用下， 2010年將成為電力電子行業(yè)
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慕尼黑上海電子展 可再生能源 IGBT
- 隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應用，以至其他工業(yè)用設備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產品的需求，電源設計師正通過最少數量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉換成所需的交流或者直流電壓。
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太陽能 逆變器 高效率 造就 電壓 IGBT 優(yōu)化
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協議的具體條款和條件保密。
英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。
作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正
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英飛凌 MOSFET IGBT
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業(yè)化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業(yè)予以大力扶持。
眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節(jié)省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，它的性能參數將直接決定著電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
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器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
- 這是一個結果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經賭贏了，但是王傳福暫時還沒有。
初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經濟通實時行情)寧波半導體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數眾多，許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應在寧波度過的第一個寒冷冬天。
這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢想。“
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比亞迪 IGBT
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據這些信息指令產生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統“供血”的“心臟&rdq
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功率半導體 MOSFET IGBT
- IGBT以其輸入阻抗高，開關速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當今功率半導體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導通延遲時間，目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎上，利用其優(yōu)良的特性，設計一套高精度的IGBT導通延遲時間的測量系統，所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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IGBT 導通 精確測量 方法
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