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用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試

電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性，雙脈沖測(cè)試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，用于測(cè)量開(kāi)啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)包括示波
關(guān)鍵字： 202411 寬禁帶 FET 測(cè)試

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
關(guān)鍵字：碳化硅 mosfet 第三代半導(dǎo)體寬禁帶

在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓應(yīng)用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度，更高的擊穿
關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC

_____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對(duì)電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車展望報(bào)告，到 2050 年，幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢(shì)凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
關(guān)鍵字：寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測(cè)試

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國(guó)跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺(tái)，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對(duì)大灣區(qū)乃至全國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績(jī)斐然，在國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
關(guān)鍵字：集成電路微電子氮化鎵器件寬禁帶 IC GaN 202103

隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體 SiC GaN

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：共形并行 FDTD 光子帶隙寬禁帶

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