整流器文章進入整流器技術社區(qū)

Vishay推出6款FRED Pt超快恢復整流器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出6款用于消費電子應用的FRED Pt™超快恢復整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關條件下的快速恢復時間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。　　新整流器適用于70W～400W的開關電源，為筆記本電腦和打印機適配器、桌面電腦、電視機和顯示器、游戲控制器，以及DVD和藍光播放器中的AC-DC電源提供了高能效的功率因數(shù)校正(PF
關鍵字： Vishay 整流器

基于TMS320F2812的三相整流器設計研究

基于TMS320F2812的三相整流器設計研究,摘要：詳細論述了SVPWM(空間矢量調制)的基本原理，給出了一種基于DSP實現(xiàn)的三相PWM整流器控制系統(tǒng)的設計方案，并且應用了TMS320F-2812，給出了一臺原理樣機的設計方法，同時進行了實驗驗證。
關鍵詞：PWM整流器；
關鍵字：設計研究整流器三相 TMS320F2812 基于

Vishay推出6款新型整流器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出6款單芯片和雙芯片80-V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些整流器采用4種功率封裝，具有10A～30A的電流額定范圍。　　今天發(fā)布的器件包括單芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及雙芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
關鍵字： Vishay 整流器

Vishay推出TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。　　今天發(fā)布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。　　由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優(yōu)異的雪崩容量
關鍵字： Vishay 整流器 TMBS

Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。　　與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導熱結構使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
關鍵字： Vishay 整流器 PowerBridge

開關電源和可控硅整流器在活塞環(huán)電鍍中的應用

0 引言　　
活塞環(huán)的表面電鍍一直是使用較多的一種工藝，廠生產的高頻開關電源和分級式可控硅整流器在全國各行業(yè)電鍍中有廣泛的應用，針對一些技術問題談幾點注意事項。
1 關于功率因素問題
　　可控硅整流器
關鍵字：電鍍應用活塞環(huán) 整流器可控硅開關電源電源

Qspeed推出超高效率600V H系列整流器

　　益登科技代理的Qspeed半導體今日宣布推出H系列組件，協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)，同時也提供Qspeed擴展其二極管性能領先優(yōu)勢的機會。以前一代產品作為基礎，Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器(PFC，Power Factor Corrector)不僅擁有更低的反向恢復電荷(QRR)，且具有目前市面上硅二極管最高的轉換效率。　　Qspeed PFC二極管能協(xié)助設計人員滿足各種嚴格的性能規(guī)范，不僅能提升系統(tǒng)性能、降低電磁干擾(EMI)，而且無需使用其他器件或縮小其他組件。此
關鍵字： Qspeed 整流器

電流模式控制倍流整流器ZVS PWM全橋DC-DC變換器的研究

本文研究一種新型的高頻DC-DC開關功率變換器。它采用電流模式移相PWM 控制，在較大的負載范圍內實現(xiàn)了開關器件的零電壓軟開關（ZVS）。論文最后給出了實驗結果和兩個主要波形，并做出了詳細的說明。
關鍵字：全橋 DC-DC 變換器研究 PWM ZVS 模式控制整流器電流

功率因數(shù)閉環(huán)控制的PWM整流器設計

1. 引言近幾年來，隨著電力電子裝置的應用日益廣泛，電網(wǎng)中諧波電流和無功功率對電力系統(tǒng)的污染也日益嚴重。消除諧波污染并提高功率因數(shù)，已經(jīng)成為電力電子技術中的一個重大課題。作為解決這一問題的途徑之一，能
關鍵字： PWM 功率因數(shù) 閉環(huán)控制整流器

基于MATLAB的高功率因數(shù)整流器仿真實驗平臺研究

以三相PWM整流電路為例，利用MATLAB的Simulink建立了仿真實驗平臺，將具有一定功能的模塊群進行封裝，用戶不必了解其內部結構，只需了解其功能，輸入相應參數(shù)，把各個功能模塊按照原理連接即可觀察結果，每個模塊都可以進行移植，通過仿真驗證，對工程中的三相可逆PWM整流器設計有實際意義。
關鍵字： MATLAB 高功率因數(shù) 仿真實驗整流器

Diodes推出高壓超勢壘整流器系列第一款器件

　　Diodes公司推出高壓超勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier，簡稱SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。該系列采用熱效率和緊湊的專有PowerDI5封裝，具有卓越的超低熱阻，使SBR10U200P5能以減少40%的占位面積，實現(xiàn)雙倍的功率密度。　　Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權表示，SBR10U200P5是業(yè)界體積最小的引線式10A整流器，額定電壓高達200V，能夠在10A額定電流和125℃的結溫下提供業(yè)內領先的低至0.7V的正向電壓降 (VF)。該
關鍵字： Diodes 整流器電源適配器

單周期控制三相PWM整流器在不對稱電網(wǎng)下的研究

摘要：傳統(tǒng)的矢量模式單周期控制三相PWM整流器是基于對稱電網(wǎng)系統(tǒng)下研究的，功率因數(shù)約為1，輸入諧波低，且與雙極型單周期控制相比，具有更低的開關損耗。當三相電網(wǎng)不對稱時，三相輸入電流跟蹤電網(wǎng)電壓的非零序分量
關鍵字：不對網(wǎng)下研究整流器 PWM 控制三相周期

三相電壓型PWM整流器

摘要：以電壓空間矢量控制的基本原理和概念為基礎，結合Matlab/Simulink軟件包構建了三相PWM整流器空間矢量控制系統(tǒng)的仿真模型，并詳細給出各模型的具體參數(shù)。仿真結果顯示，該方法簡單，控制精度高，用于三相PWM整流
關鍵字：整流器 PWM 電壓三相

業(yè)界第一個商用TMBS整流器與傳統(tǒng)整流器電子應用的對比(08-100)

　　肖特基整流器通常是高頻電子應用更為理想的選擇，由于它們具有高開關速度和低正向(導通狀態(tài))壓降，其低正向導通能量損耗非常關鍵。但是直到最近，大多數(shù)應用的硅基肖特基勢壘整流器都受到了低于100 V的工作電壓的限制。
關鍵字： TMBS 整流器

IR推出全新基準MOSFET，將封裝電流額定值提升了60%

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。新器件的封裝電流額定值達到195A，比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導通電阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外，7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達到240A的卓越水平，使它成為市場上
關鍵字：整流器功率半導體

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整流器介紹

一　什么是整流器？　　整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉化為直流（DC）的裝置。它有兩個主要功能：第一，將交流電（AC）變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負載，或者供給逆變器；第二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時又起到一個充電器的作用。二　整流器三極管參數(shù) 　　三極管的hFE參數(shù)與貯存時間ts相關，一般hFE大的三極管ts也較大，過去人們對ts的認識以及ts的測量儀器均 [ 查看詳細 ]