泄漏控制 文章 進(jìn)入泄漏控制技術(shù)社區(qū)

歐洲數(shù)字系統(tǒng)芯片功率泄漏控制項目

• 來自歐洲7個國家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動一個旨在通過解決65nm節(jié)點以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問題來改進(jìn)下一代系統(tǒng)芯片設(shè)計的開發(fā)項目。根據(jù)IST第六框架計劃的“納電子”戰(zhàn)略目標(biāo)，歐洲委員會為這個名為CLEAN (控制NanoCMOS系統(tǒng)芯片泄漏功率)的項目提供了450萬歐元的贊助費。 在線寬大于0.1微米的微電子電路中，與晶體管泄漏電流相比，計算、通信和存儲操作造成的動態(tài)功耗是芯片功耗的主體。因此，直到今天，在沒超過這個技術(shù)節(jié)點的芯片設(shè)計和開發(fā)過程中，泄漏電流控制并
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