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【測(cè)試解讀】ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中的傳輸線脈沖TLP，怎么測(cè)？

  • 隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細(xì)、集成度高、運(yùn)算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導(dǎo)致了這類器件對(duì)靜電的要求越來越高。其中涉及到的標(biāo)準(zhǔn)為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會(huì)使用TLP 測(cè)試，除了使用標(biāo)準(zhǔn)的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對(duì)其脈沖進(jìn)行
  • 關(guān)鍵字： ESD  TLP  

如何測(cè)試ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中的傳輸線脈沖TLP

  • 隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細(xì)、集成度高、運(yùn)算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導(dǎo)致了這類器件對(duì)靜電的要求越來越高。其中涉及到的標(biāo)準(zhǔn)為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會(huì)使用TLP 測(cè)試，除了使用標(biāo)準(zhǔn)的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對(duì)其脈沖進(jìn)行
  • 關(guān)鍵字： ESD  保護(hù)設(shè)計(jì)  傳輸線脈沖  TLP  

帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對(duì)維持電壓的影響*

  • 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實(shí)現(xiàn)了一種陽極和陰極兩側(cè)均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護(hù)（ESD）。利用二維器件仿真平臺(tái)和傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP），預(yù)測(cè)和驗(yàn)證了SAB層對(duì)可控硅性能的影響。測(cè)量結(jié)果表明，在不增加器件面積的情況下，通過增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統(tǒng)SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
  • 關(guān)鍵字： 可控硅（SCR）  硅化物阻擋層（SAB）  仿真  傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP）  維持電壓（Vh）  202109  

利用TLP進(jìn)行ESD保護(hù)元件的大電流性能鑒定

  • Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護(hù)元件應(yīng)該保持在不動(dòng)作狀態(tài)，同時(shí)不會(huì)對(duì)電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數(shù)據(jù)傳輸速率下維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的低電容值來達(dá)成。而在ESD 應(yīng)力沖擊或
  • 關(guān)鍵字： TLP  ESD  保護(hù)  元件    

利用屏幕截圖和TLP進(jìn)行ESD保護(hù)元件的大電流性能鑒

  • Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護(hù)元件應(yīng)該保持在不動(dòng)作狀態(tài)，同時(shí)不會(huì)對(duì)電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數(shù)據(jù)傳輸速率下維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的低電容值來達(dá)成。而在ESD 應(yīng)力沖擊或
  • 關(guān)鍵字： TLP  ESD  屏幕  保護(hù)    
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