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西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉

月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營(yíng)?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長(zhǎng)。圖片來(lái)源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何？據(jù)悉，自2021年以來(lái)，西部數(shù)據(jù)及
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淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象，在電子應(yīng)用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導(dǎo)體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續(xù)工作之后，其功能會(huì)逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái)，電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來(lái)越緊密，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對(duì)電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
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一季度 NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15%-20%

供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
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閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮

2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢(shì)，供應(yīng)鏈人士透露，2024 年 1 月，預(yù)計(jì) NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢(shì)，到第二季度，漲幅將達(dá)到 10%。過(guò)去幾年，隨著整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的變化，NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導(dǎo)致當(dāng)年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過(guò)一年的低迷期后，NOR Flash 價(jià)格在 2
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NAND Flash和NOR Flash的異同

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進(jìn)行擦寫和再編程。· 兩者在寫之前都要先
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預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位，而供應(yīng)商為減少虧損，對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過(guò)高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%

IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確，帶動(dòng)買方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求，以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫(kù)存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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明年半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場(chǎng)回暖？

今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾，半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對(duì)蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過(guò)冬就是春，最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)總算是迎來(lái)了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測(cè)，認(rèn)為半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)觸底，明年開(kāi)始半導(dǎo)體將會(huì)加速恢復(fù)增長(zhǎng)。在它的預(yù)測(cè)中，2023 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導(dǎo)體收入將同比增長(zhǎng) 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報(bào)研究經(jīng)理 Rudy Tor
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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兆易創(chuàng)新車規(guī)閃存產(chǎn)品成功應(yīng)用于懸架控制器，在奇瑞多款車型實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash的明然科技國(guó)產(chǎn)化主動(dòng)懸架控制器（CDC）出貨量已超數(shù)萬(wàn)臺(tái)，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產(chǎn)。在汽車底盤懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著兆易創(chuàng)新車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash的可靠性得到進(jìn)一步驗(yàn)證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統(tǒng)被動(dòng)式、半主動(dòng)式和主動(dòng)式三類，而主動(dòng)式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車輛的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和路面情況自適應(yīng)調(diào)節(jié)減振器阻尼力，使其更好地適用于當(dāng)前路段，懸架
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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估8~13%

據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢(shì)將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對(duì)低點(diǎn)預(yù)備庫(kù)存，采購(gòu)量會(huì)較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
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消息稱三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格

10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過(guò)低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報(bào)道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
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集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(zhǎng)周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]