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FLIR Si124-PD:局部放電檢測(cè)聲像儀正式上市,可免費(fèi)試用!
- 眾所周知,電能是現(xiàn)代社會(huì)必不可少的能源,我們?nèi)粘I钪兴玫降碾娔芏际峭ㄟ^高壓輸電線從發(fā)電廠傳輸過來的,一般高壓輸電線經(jīng)過的地方都會(huì)標(biāo)有"高壓危險(xiǎn)、請(qǐng)勿靠近”的警示牌。為了保證高壓線及高壓電氣設(shè)備的正常運(yùn)行,電工們要時(shí)常對(duì)其進(jìn)行檢測(cè),面對(duì)如此危險(xiǎn)的高壓輸電線和高壓電氣設(shè)備,該如何保障電工師傅們的安全呢? 今天小菲就來給大家介紹一款可在安全距離處檢測(cè)高壓系統(tǒng)的“神器”FLIR Si124-PD聲波成像儀它可檢測(cè)高壓電氣系統(tǒng)中的局部放電問題操作簡(jiǎn)單,故障定位精準(zhǔn)可確保電力設(shè)施持續(xù)供電、生產(chǎn)
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為技術(shù)找到核心 多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新
- 觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢(shì),可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼?;旧习雽?dǎo)體技術(shù)可以分為三大類,第一類是獨(dú)立電子、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù),基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天,最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程,其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù),逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道,目前三星、臺(tái)積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作,正在開發(fā)下一代3/2奈米,在那里我們會(huì)看到一種新的突破,因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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手機(jī)要漲價(jià)了?三星CMOS全球缺貨,已漲價(jià)40%
- 對(duì)于各大智能手機(jī)廠商來說,目前可供選擇的高端手機(jī)CMOS圖像傳感器供應(yīng)商不多,主要是索尼和三星?! ?月14日,有消息稱,英國(guó)調(diào)查公司Omdia在最近的報(bào)告中指出,三星于去年12月開始,已將CMOS圖像傳感器(CIS)的價(jià)格提高了40%。此外,其他其他CIS供應(yīng)商的價(jià)格也提升了20%左右。 根據(jù)報(bào)告顯示,“產(chǎn)能不足”是此次漲價(jià)的主要原因!去年下半年,CMOS圖像傳感器就已處于全球大缺貨的狀態(tài),根據(jù)TechnoSystem Research調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2019年CMOS影像傳感器年產(chǎn)值159億美元,
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三星發(fā)布四顆0.7μm單像素CMOS 可縮小手機(jī)攝像頭凸起
- 如今智能手機(jī)的拍照攝像能力越來越強(qiáng),不過手機(jī)的攝像頭也越做越大,搞得現(xiàn)在許多手機(jī)不僅更加厚重,而且攝像頭的凸起部分也越來越多。而這些都與CMOS尺寸變大和單像素面積增大有關(guān),三星也發(fā)現(xiàn)了這一問題,并于近日推出了四個(gè)單像素0.7μm大小的ISOCELL圖像傳感器。這四個(gè)CMOS分別為1億800萬像素的HM2、6400萬像素的GW3,4800萬像素的GM5以及3200萬像素的JD1,它們相比0.8μm單像素的CMOS均要縮小15%,并可讓相機(jī)模塊的高度減少了10%。由于外形尺寸較小,因此這4顆CMOS可以有效
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貿(mào)澤開售Skyworks Solutions適用于軍事和航電設(shè)計(jì)的高速光耦合器
- 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 近日開始備貨Skyworks Solutions的OLI300、OLS300、OLI500和OLS500高速光耦合器。這些光耦合器在輸入端和輸出端之間具有1500VDC電氣隔離,設(shè)計(jì)用于航空電子、生物醫(yī)學(xué)材料、雷達(dá)、航天、監(jiān)控系統(tǒng)、儀器儀表和軍事通信等應(yīng)用。OLI300和OLS300光耦合器適用于將晶體管-晶體管邏輯 (TTL) 連接到低功耗肖特基晶體管-晶體管邏輯 (LSTTL)。這兩款光耦合器還適合用在互
- 關(guān)鍵字: TTL CMOS LSTTl LEd
新一代安全儲(chǔ)存架構(gòu)將提供最佳解決方案
- 隨著半導(dǎo)體制程不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員受益良多,但這卻為應(yīng)用處理器用戶帶來一個(gè)難題——用戶需要對(duì)其設(shè)備及收發(fā)的數(shù)據(jù)進(jìn)行高度安全保護(hù)。因?yàn)樯a(chǎn)應(yīng)用處理器所采用的CMOS制程,與儲(chǔ)存啟動(dòng)碼、應(yīng)用程序代碼、以及敏感數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性芯片內(nèi)建NOR Flash使用的制造技術(shù)之間差異越來越大。雖然當(dāng)今先進(jìn)應(yīng)用處理器大多是采用次10納米的制程,NOR Flash制程卻因技術(shù)上的基本物理特性限制而落后好幾代。如今,浮柵閃存電路仍應(yīng)用于40納米以上制程所制造的器件。換言之,閃存無法嵌入最先進(jìn)、最高效能的處理器芯片內(nèi)。因此
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臺(tái)積電擴(kuò)大與索尼 CMOS 圖像傳感器代工合作,規(guī)劃全新產(chǎn)能
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電擴(kuò)大了與索尼 CIS(CMOS 圖像傳感器,CMOS Image Sensor,簡(jiǎn)稱 CIS)代工合作。臺(tái)積電 臺(tái)積電旗下關(guān)聯(lián)企業(yè)采鈺,以及供應(yīng)鏈成員將一起吃下索尼 “超級(jí)大單”。應(yīng)索尼后續(xù)需求,采鈺、同欣電進(jìn)入戰(zhàn)斗狀態(tài),正擴(kuò)建 CIS 后段封測(cè)、材料及模組組裝產(chǎn)能。 臺(tái)積電積極規(guī)劃在竹南打造全新的高階 CIS 封裝產(chǎn)能,相關(guān)開發(fā)計(jì)劃本月初正式動(dòng)工興建,預(yù)計(jì)明年中完工,預(yù)計(jì)將斥資新臺(tái)幣 3000 億元,成為臺(tái)積電先進(jìn)封裝的最大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),首批進(jìn)駐即是幫索尼代工的 CIS 封裝產(chǎn)線。
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OSAT視角:汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)及其制造所面臨的挑戰(zhàn)
- 汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)在過去十年間保持連續(xù)增長(zhǎng),絲毫沒有放緩的跡象。汽車行業(yè)的發(fā)展主要源于管控汽車的幾乎各個(gè)方面都采用了電子器件,而安全標(biāo)準(zhǔn)的提升以及從半自動(dòng)到全自動(dòng)電動(dòng)汽車的發(fā)展,也使汽車行業(yè)的增長(zhǎng)更加穩(wěn)固。圖1顯示,盡管2016年至2022年的汽車產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)13%,但汽車電子器件預(yù)計(jì)同期將從1990億美元增長(zhǎng)至2890億美元,增幅達(dá)45%。圖1同時(shí)還顯示,每輛車的電子器件價(jià)格以“曲棍球棒曲線”形式增長(zhǎng) — 從2016年的每輛車2000多美元增長(zhǎng)到2022年的每輛車2700美元。圖2顯示了汽車駕駛自動(dòng)化各等
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攻克可視門鈴中的設(shè)計(jì)障礙
- 有用的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)程序被應(yīng)用于幾乎所有行業(yè)的縱向分支中,并有效擴(kuò)展了舊有系統(tǒng)的實(shí)用性。例如,出于安全目的,住宅、商業(yè)和工業(yè)設(shè)施正在使用可視門鈴。這些服務(wù)已經(jīng)存在數(shù)十年,但通常僅限于可通過閉路電視網(wǎng)絡(luò)提供昂貴的雙向音頻和單向視頻功能的高端設(shè)備。但是,現(xiàn)在物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)無需大規(guī)模的同軸電纜或以太網(wǎng)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)即可實(shí)現(xiàn)此級(jí)別的安全性。本文將仔細(xì)研究與可視門鈴相關(guān)的一些視頻、音頻和電源設(shè)計(jì)難題,以及解決這些難題所需的技術(shù)進(jìn)步。無縫用戶體驗(yàn)傳統(tǒng)的可視門鈴系統(tǒng)涉及使用按鈴、麥克風(fēng)和攝像機(jī)。這些系統(tǒng)通常被硬連接到電源,而視
- 關(guān)鍵字: DSP CMOS PIR MCU IoT
CMOS傳感器市場(chǎng)今年將萎縮 明年或迎來全面增長(zhǎng)
- 近日,全球知名半導(dǎo)體市場(chǎng)咨詢機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了《全球光電子、傳感器和分立器件市場(chǎng)報(bào)告(OSDReport)》,報(bào)告顯示,因?yàn)槭艿?020年新型冠狀病毒導(dǎo)致的肺炎疫情帶來的影響,全球CMOS圖像傳感器的銷售量將在十年來出現(xiàn)首次下降,但到了2021年將會(huì)出現(xiàn)創(chuàng)記錄的新高。 CMOS圖像傳感器的銷售額于2019年激增30%之后,在2020年將降至178億美元。這份長(zhǎng)達(dá)350頁的報(bào)告顯示CMOS圖像傳感器的銷售額在2021年將會(huì)出現(xiàn)15%的反彈,達(dá)到204億美元的歷史新高。當(dāng)然,這是建立在全球疫
- 關(guān)鍵字: CMOS 傳感器 數(shù)字成像
步入高階成像時(shí)代,思特威首款高階成像系列產(chǎn)品SC200AI發(fā)布
- 隨著安防行業(yè)邊界的不斷消融,場(chǎng)景的拓展、技術(shù)的突破等因素都在推動(dòng)其發(fā)展成為一個(gè)多面生態(tài)的現(xiàn)代化概念。而伴隨著安防視頻系統(tǒng)的不斷革新發(fā)展,更高清、場(chǎng)景適應(yīng)性更強(qiáng)的圖像傳感器日漸成為剛需。近日,技術(shù)領(lǐng)先的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威科技(SmartSens),以客戶需求為出發(fā)點(diǎn),正式推出了聚焦新安防應(yīng)用的高階成像(AI,Advanced Imaging)系列CMOS圖像傳感器的首款產(chǎn)品 — SC200AI。思特威希望以該系列產(chǎn)品為客戶帶來更高性能、適應(yīng)性更廣的高階成像產(chǎn)品,以賦能未來在“新基建”催
- 關(guān)鍵字: 新基建 CMOS 高階成像
面向工業(yè)條形碼閱讀器應(yīng)用的低成本高性能圖像傳感器
- 伴隨著當(dāng)今更低成本和更高性能的工業(yè)相機(jī)的趨勢(shì),對(duì)CMOS圖像傳感器也提出了更高的要求,需要通過設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。為實(shí)現(xiàn)該目標(biāo),需通過3D芯片堆棧和背照(back side illuminated ,BSI)技術(shù),把多個(gè)圖像處理任務(wù)集成到單一器件中。在未來將會(huì)出現(xiàn)具有精密的機(jī)器學(xué)習(xí)和專有的智能計(jì)算芯片結(jié)合圖像擷取功能的解決方案,創(chuàng)造出緊湊的高速運(yùn)算視覺系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字: BSI CMOS SoC RTC MTF
memsstar談MEMS刻蝕與沉積工藝的挑戰(zhàn)
- 魯?冰?(《電子產(chǎn)品世界》記者) 不久前,MEMS蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè)memsstar向《電子產(chǎn)品世界》介紹了MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系,對(duì)中國(guó)本土MEMS制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等?! ? MEMS比CMOS的復(fù)雜之處 MEMS與CMOS的根本區(qū)別在于:MEMS是帶活動(dòng)部件的三維器件,CMOS是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是MEMS獨(dú)有的,例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子,由于CMOS器件沒有活動(dòng)部件,因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱?,?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上
- 關(guān)鍵字: 202006 MEMS CMOS memsstar
機(jī)器人應(yīng)用中的毫米波雷達(dá)傳感器
- 當(dāng)腦海中浮現(xiàn)機(jī)器人的形象時(shí),您可能會(huì)聯(lián)想到巨大的機(jī)械手臂,工廠車間里盤繞的隨處可見的線圈和線束,以及四處飛濺的焊接火花。這些機(jī)器人與大眾文化和科幻小說中描繪的機(jī)器人大不相同,在后者中,機(jī)器人常以人們?nèi)粘I钪值男蜗笫救?。介紹如今,人工智能技術(shù)的突破正在推動(dòng)服務(wù)型機(jī)器人、無人飛行器和自主駕駛車輛的機(jī)器人技術(shù)發(fā)展,市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2016 年的310 億美元增加到2020 年的2370 億美元[1]。隨著機(jī)器人技術(shù)的進(jìn)步,互補(bǔ)傳感器技術(shù)也在進(jìn)步。就像人類的五官感覺一樣,通過將不同的傳感技術(shù)結(jié)合起來,可在將機(jī)
- 關(guān)鍵字: CMOS IMU 傳感器 EVM RF RVIZ
業(yè)界首創(chuàng)!ROHM開發(fā)出不會(huì)因負(fù)載電容發(fā)生振蕩的高速運(yùn)算放大器“BD77501G”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日開發(fā)出一款高速接地檢測(cè)CMOS運(yùn)算放大器“BD77501G”,非常適用于計(jì)量設(shè)備、控制設(shè)備中使用的異常檢測(cè)系統(tǒng)、處理微小信號(hào)的各種傳感器等需要高速感測(cè)的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備。“BD77501G”是業(yè)界首創(chuàng)的支持異常檢測(cè)系統(tǒng)等所需的高速放大(10V/μs的高轉(zhuǎn)換速率),且不會(huì)因布線等的負(fù)載電容而振蕩的運(yùn)算放大器。以往的高速運(yùn)算放大器受負(fù)載電容影響有時(shí)會(huì)產(chǎn)生振蕩,不穩(wěn)定,本產(chǎn)品不會(huì)發(fā)生振蕩,可穩(wěn)定工作。另外,在整個(gè)噪聲頻段,普通產(chǎn)品的輸出電壓波動(dòng)達(dá)到±2
- 關(guān)鍵字: CMOS
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)flir cmos的理解,并與今后在此搜索flir cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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