10月28日消息,據國外媒體報道,全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示,該公司目標要在三年內將半導體業(yè)務營收提高逾50%,并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。
三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計,今年半導體業(yè)務營收為166億美元,并稱目標要在2012年達到255億美元營收。
三星指出,明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。
韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估,公司發(fā)言人士也確認了這項消
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三星 NAND 存儲
英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本.
英特爾研究員和內存技術開發(fā)經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.
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Intel 5納米 DRAM NAND
最近幾個月來,DRAM價格連連上漲,同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經有較大起色,但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內存產品是怎樣的一個局面呢,下面小編就給大家來個深度分析,給你講講這里面的道道。
9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元,較上個月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 內存 存儲
美國內存大廠SanDisk近日公布第3季財報,意外由虧損轉為強勁獲利,主要由于銷售額優(yōu)于預期,以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉趨勢。
據國外媒體報道,SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分,改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后,每股獲利則為76美分,優(yōu)于分析師預期的每股26美分。
該季營收增長14%至9.352億美元,遠優(yōu)于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元,以及分析師預期的7.87
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SanDisk NAND 閃存芯片
“經濟部”「DRAM產業(yè)再造計畫」20日最后截止日期,卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件,形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company),并將這次臺灣存儲器產業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局,反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示,2010年將投入40奈米制程量產NAND Flash,且100%為自有技術,比任何同業(yè)都符合“經濟部”所要求技術扎根條件,未來力晶
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力晶 DRAM 存儲器 NAND
鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段,MLC部分的存儲密度可達32Gb,寫入壽命達3萬次,是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb,寫入壽命同樣為3萬次,是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface),數據傳輸率最高可達200MB/S,而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示,明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示,10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%,主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單,同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求,因此NAND Flash市場供貨吃緊,在賣方主導市場下,10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚。
16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖
集邦科技指出,在10月到11月,多數NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND 存儲 閃存
2009年NAND Flash缺貨缺翻天,三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余,不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀,還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產品來搶食客戶飯碗,到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當好奇!而原本應該站在反對立場的大客戶創(chuàng)見,這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商,究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感,只能說三星2009年真的是新人事、新作風,每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡!
與三星做生意的客戶都知道,2009年不論在DRAM或是N
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三星 NAND Flash
NAND Flash產業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動,32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元,存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下,預計可再次創(chuàng)下新高,同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高,創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠,9月預計可達新臺幣30億~35億元水平,威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下,9月營收預估可達35億~40億元,勁永9月營收也將維持高檔不墜。
NAND Flash現(xiàn)貨
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Apple NAND 智能手機
三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任,營運策略出現(xiàn)不少重大轉變,將影響存儲器產業(yè)生態(tài),三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片,一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示,三星策略明顯側重OEM市場,減少與現(xiàn)貨客戶合作,就連NAND Flash芯片供貨策略,亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先,尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁,三星供應臺灣DRAM模塊數量大減,市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業(yè)者指出,三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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Samsung DRAM NAND
NAND Flash產業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動,32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元,存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下,預計可再次創(chuàng)下新高,同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高,創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠,9月預計可達新臺幣30億~35億元水平,威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下,9月營收預估可達35億~40億元,勁永9月營收也將維持高檔不墜。
NAND Flash現(xiàn)貨
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Apple NAND 智能手機
據iSuppli 公司,雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因為內存價格飛漲而受挫,但企業(yè)市場對彌補上述領域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余,從而推動今年整體SSD 市場的營業(yè)收入將增長六倍。
第二季度NAND 閃存的成本大幅上升,引起SSD 價格跳漲,使其與硬盤驅動器(HDD)相比缺乏競爭力,并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關鍵部分,約占其價值的90%。然而,對于尋求擴展功能和降低整體功耗的企業(yè)數據中心來說,SSD 仍然是一個具有吸引力的選擇。
由于企業(yè)
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NAND SSD PC
分析師指出,資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應收緊,價格可能隨之上漲,但可能會發(fā)生其他不可預料的結果。
IC Insights總裁Bill McClean稱,今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%,創(chuàng)歷史新低。芯片商在經歷了嚴重衰退后,對資本投入依然比較謹慎。
“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道,“我們從來沒有遇到過這種情況。”
資本支出比例在2008年為16%,2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
據業(yè)者透露,東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能,直至達到20萬片的產能水平。
東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產,按原先的計劃,合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右,不過按目前的產能規(guī)劃來看,實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。
另一方面,對手In
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SanDisk 20nm NAND 閃存芯片
蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單,導致NAND Flash供給大幅吃緊,預計在2009年11月底之前,缺貨情況仍無解?,F(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產能都被蘋果包下來,另外存儲器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產能,雙方成為長期合作伙伴,顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產能相當少,缺貨潮將延燒到11月。
存儲器業(yè)者表示,這次NAND Flash缺貨潮相
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英特爾 NAND 存儲器
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