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英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
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高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關(guān)IC適合400 VDC電動(dòng)汽車應(yīng)用

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級(jí)LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動(dòng)汽車子系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機(jī)系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
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瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動(dòng)器的新一代引腳兼容升級(jí)產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡(jiǎn)化電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽(yáng)能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅(jiān)固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器供電。HIP221x驅(qū)動(dòng)器專為嚴(yán)苛工作條件下的
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自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個(gè)功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn)，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

中國(guó)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）宣布在中國(guó)（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢(shì)，作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動(dòng)汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來(lái)，臻驅(qū)科技和羅姆就采
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新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的車載動(dòng)力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
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緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

汽車電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動(dòng)汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過(guò)使用SiC功率元器件,大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車電池的電能。這將非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
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聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來(lái)

隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體 SiC GaN

Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間

Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨(dú)立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn)，有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)?，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
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東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計(jì)劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級(jí)低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān)，這種新型IPD能夠避免機(jī)械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時(shí)還提供免維護(hù)功能。通過(guò)提供增強(qiáng)功能（自我保護(hù)功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
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采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用

英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產(chǎn)品陣容?，近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力，可針對(duì)要求高效率的高功率密度應(yīng)用提供增強(qiáng)的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅(qū)動(dòng)裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來(lái)更多選項(xiàng)，有助于選擇應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外，
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NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅(jiān)固LFPAK56封裝

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適合汽車應(yīng)用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求
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Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用，包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡(jiǎn)化了PCB組裝過(guò)程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過(guò)36%的空間。由于采
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科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新

作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
關(guān)鍵字：科銳 650V MOSFET 電動(dòng)汽車