三星推出80nm制程移動存儲器 二季度量產(chǎn)

  
據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報道，韓國媒體Digital Daily與美國媒體Forbes報導(dǎo)，三星電子（Samsung Electronics）繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標(biāo)準(zhǔn)型DRAM進入量產(chǎn)階段后，27日又發(fā)表了針對手機與移動設(shè)備推出的80nm制程DDR存儲器芯片，容量為1Gb，厚度較前代產(chǎn)品薄20％，耗電量減少30％。三星預(yù)計將在2007年第二季量產(chǎn)該產(chǎn)品，并預(yù)計屆時市場上對1Gb容量的手機存儲器芯片需求量將大幅增加。

三星表示，這款新產(chǎn)品將會使用在較高端的移動應(yīng)用場合，除了手機外，數(shù)碼相機、便攜式多媒體播放器、掌上型游戲機等產(chǎn)品也能夠搭載80nm制程的存儲器芯片。三星的作法能夠加大手持裝置存儲器容量，進而再推出單一封裝高容量的1.5Gb、2Gb產(chǎn)品，并借助自動溫度檢測機制，調(diào)整耗電量以提高移動設(shè)備的電力續(xù)航時間。

近來針對更高端制程存儲器技術(shù)發(fā)展的消息甚多，日廠爾比達（Elpida）就直接跳過80nm制程，在2007年第一季先推70nm制程的DDR 2標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片，之后也要推出針對手機、服務(wù)器平臺的70nm制程芯片。而另1家韓國廠商海力士（Hynix）則是著手66nm制程的開發(fā)，不過尚未有確切的量產(chǎn)時間。