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降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2023-02-02 來源:工程師 發(fā)布文章

來源: 碳化硅研習社


隨著電動汽車(EV)制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,這可以提高行駛里程并提供競爭優(yōu)勢。效率與較低的功率損耗有關,這會影響熱性能,進而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開發(fā),減少功率損耗的需求將繼續(xù)存在,特別是隨著每輛車電機數(shù)量的增加以及卡車向純電動汽車的遷移。


牽引逆變器傳統(tǒng)上使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導體技術的進步,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關,通過降低電阻和開關損耗來提高效率,同時提高功率和電流密度。在電動汽車牽引逆變器中驅動 SiC MOSFET,尤其是在功率水平 >100 kW 和 800V 總線下,需要具有可靠隔離技術、高驅動強度以及故障監(jiān)控和保護功能的隔離式柵極驅動器。


- 牽引逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅動器


圖1所示的隔離式柵極驅動器集成電路(IC)是牽引逆變器供電解決方案的組成部分。柵極驅動器提供低到高壓(輸入到輸出)電流隔離,驅動基于 SiC 或 IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級,并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。

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圖1:電動汽車牽引逆變器框圖


- 碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優(yōu)勢


特別是對于SiC MOSFET,柵極驅動器IC必須將開關和傳導損耗(包括導通和關斷能量)降至最低。MOSFET數(shù)據(jù)手冊包括柵極電荷特性,在該曲線上,您會發(fā)現(xiàn)一個平坦的水平部分,稱為米勒平臺,如圖2所示。MOSFET在導通和關斷狀態(tài)之間花費的時間越長,損失的功率就越多。


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圖 2:MOSFET 導通特性和米勒高原


當碳化硅MOSFET開關時,柵源電壓(V )通過門到源閾值(V ),鉗位在米勒平臺電壓(V),并且停留在那里,因為電荷和電容是固定的。讓 MOSFET 開關需要增加或消除足夠的柵極電荷。隔離式柵極驅動器必須以高電流驅動MOSFET柵極,以便增加或消除柵極電荷,以減少功率損耗。計算隔離式柵極驅動器將增加或消除所需的SiC MOSFET電荷,表明MOSFET柵極電流與柵極電荷成正比 隔離式柵極驅動器IC的電流和t是 MOSFET 的導通時間。


對于 ≥150kW 牽引逆變器應用,隔離式柵極驅動器應具有 >10 A 的驅動強度,以便以高壓擺率將 SiC FET 切換通過米勒平臺,并利用更高的開關頻率。碳化硅場效應晶體管具有較低的反向恢復電荷(Q)和更穩(wěn)定的溫度導通電阻(R ),可實現(xiàn)更高的開關速度。MOSFET在米勒高原停留的時間越短,功率損耗和自發(fā)熱就越低。


TI 的UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1是高電流、符合 TI 功能安全標準的 30A 柵極驅動器,具有基本或增強隔離和串行外設接口數(shù)字總線,用于與微控制器進行故障通信。圖 3 比較了 UCC5870-Q1 和競爭柵極驅動器之間的 SiC MOSFET 導通。UCC5870-Q1 柵極驅動器的峰值為 39 A,并通過米勒平臺保持 30 A 的電流,從而實現(xiàn)更快的導通,這是首選結果。通過比較藍色V,更快的開啟速度也很明顯。兩個驅動器之間的波形斜坡。在 10 V 的米勒平臺電壓下,UCC5870-Q1 的柵極驅動器電流為 30 A,而競爭器件的柵極驅動器電流為 8 A。

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圖 3:比較 TI 的隔離式柵極驅動器與競爭器件打開 SiC FET 時的比較


- 隔離式柵極驅動器的功率損耗貢獻


柵極驅動器-米勒平臺比較還與柵極驅動器中的開關損耗有關,如圖4所示。在此比較中,驅動器開關損耗差高達0.6 W。這些損耗會導致逆變器的總功率損耗,并加強對大電流柵極驅動器的需求。

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圖 4:柵極驅動器開關損耗與開關頻率的關系


- 散熱

功率損耗會導致溫度升高,由于需要散熱器或更厚的印刷電路板 (PCB) 銅層,可能會使熱管理復雜化。高驅動強度有助于降低柵極驅動器的外殼溫度,從而減少對更昂貴的散熱器或額外的PCB接地層的需求,以降低柵極驅動器的IC溫度。在圖 5 所示的熱圖像中,UCC5870-Q1 的運行溫度降低了 15°C,因為它具有較低的開關損耗和通過米勒平臺的較高驅動電流。

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圖 5:UCC5870-Q1 的散熱與驅動 SiC FET 的競爭柵極驅動器的比較


- 結論

隨著電動汽車牽引逆變器的功率增加到 150 kW 以上,通過米勒平臺選擇具有最大電流強度的隔離式柵極驅動器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗,實現(xiàn)更快的開關頻率,從而提高效率,從而改善新的電動汽車型號的驅動范圍。符合 TI 功能安全標準的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅動器附帶大量設計支持工具,可幫助實現(xiàn)。


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關鍵詞: 碳化硅

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