索尼將發(fā)表背面照射型CMOS傳感器

　在即將召開的“2006年IEEE國際固體電路會(huì)議（ISSCC 2006）”上，將會(huì)有結(jié)構(gòu)獨(dú)特的CMOS傳感器進(jìn)行發(fā)表。比如，索尼的傳感器采用了和普通方法相反、向沒有布線層的一面照射光線的背面照射技術(shù)（演講序號(hào)：16.8）?？蓪㈤_口率（光電轉(zhuǎn)換部分在一個(gè)像素中所占的面積比例）提高至近100%。 

　　試制的CMOS傳感器像素間隔為3.45μm，在采用背面照射技術(shù)的產(chǎn)品中較小。與不使用背面照射技術(shù)時(shí)相比，對(duì)于550nm的光線，感光度提高了34%。設(shè)計(jì)工藝為0.25μm，包括1層多晶硅和3層布線層。另一個(gè)特點(diǎn)是配置布線的位置自由度較大。 

　　而日本東北大學(xué)和日本德州儀器組成的研究小組使CMOS傳感器的動(dòng)態(tài)范圍（1幀內(nèi)可拍攝對(duì)象的照度范圍）逼近極限（演講序號(hào)：16.7）。具體約為10-2lx～108lx，按對(duì)數(shù)換算約為200dB。 

　　CMOS傳感器上沒有設(shè)計(jì)調(diào)節(jié)光量的光圈。為了積蓄在強(qiáng)光射入時(shí)所產(chǎn)生的電荷，在光電轉(zhuǎn)換部分的旁邊設(shè)計(jì)了電容器。假如是普通結(jié)構(gòu)，這些電荷就會(huì)溢出。樣品的像素間隔為20μm?？傁袼?cái)?shù)為4096。設(shè)計(jì)工藝為0.35μm，多晶硅2層，布線層3層。