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晶體管也玩立體化 Intel Ivy Bridge前景樂觀

—— IvyBridge平臺性能強大
作者: 時間:2011-08-16 來源:賽迪網(wǎng) 收藏

  3-DTri-Gate使用一個非常薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維上的平面柵極,形象地說就是從硅基底上站了起來。硅鰭片的三個面都安排了一個柵極,其中兩側(cè)各一個、頂面一個,用于輔助電流控制,而2-D二維只在頂部有一個。由于這些硅鰭片都是垂直的,可以更加緊密地靠在一起,從而大大提高晶體管密度。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/122523.htm

  通過使用3D晶體管,芯片可以在低電壓和低泄露下運行,從而使性能和能耗取得大幅改進。在低電壓條件下,22納米的3-DTri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37%。這意味著它能用在許多小的手持設(shè)備中。另外,在相同的性能條件下,新的晶體管耗電不及2D平板晶體管、32納米芯片的一半。

  據(jù)方面透露,22納米的芯片性能比現(xiàn)在的32納米芯片更高。為了擴大制程技術(shù)的優(yōu)勢,趕上移動競賽,上個月英特爾將2011年資本開支提高到102億美元,原定數(shù)額為90億美元,目的是落實12納米制程的開發(fā)。

  目前,的IvyBridge還未進行大規(guī)模量產(chǎn),但也表示IvyBridge可能會提前發(fā)布,目的在于對抗即將上市的推土機。從產(chǎn)品技術(shù)方面來看,IvyBridge并沒有過多出彩的地方,僅僅是SandyBridge的升級版本;而從工藝角度講,IvyBridge所基于22nm的3-DTri-Gate晶體管則是首次應(yīng)用到實際產(chǎn)品中,也是晶體管發(fā)展的一場革命。不過從當(dāng)前的一些資料來看,IvyBridge工程樣板的測試中功耗表現(xiàn)并不突出,看來還需要進一步優(yōu)化。

  而至截稿之前的最新消息顯示,Intel將于2012年3月份到4月份期間正式推出下一代SocketLGA1155插槽22納米IvyBridge處理器,并且在最新的Roadmap中已有顯示。推土機性能到底如何,IvyBridge能否提前到來,讓我們拭目以待吧!


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