ST推出20A和30A功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管

第一批采用SO8尺寸的PolarPAK™ 封裝的IC，
有助于大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器提高功率密度和可靠性

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼： STM）推出了該公司第一批采用頂置金屬片的PolarPAK® 封裝的功率IC，這種封裝有助于大電流電源組件實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分別是20A和30A的功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管，占板面積與SO-8封裝相同，僅為5mm x 6mm。因?yàn)轫敳亢偷撞慷加猩嵬ǖ溃苑庋b的高度更低，只有0.8mm高。

ST和Siliconix公司于2005年3月簽訂一項(xiàng)使用PolarPAK®技術(shù)的許可協(xié)議。新封裝的引線框架和塑料封裝與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管使用的封裝相似，具有優(yōu)良的裸片保護(hù)功能，在制造過(guò)程中拾放芯片十分容易。然而與標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝相比，PolarPAK的散熱效率更加出色，在相同的占板面積下，比SO-8封裝處理的電流高一倍。.

新器件采用ST最新優(yōu)化的STripFET™制造技術(shù)，在更小的芯片面積上取得了更低的通態(tài)電阻和功耗，這項(xiàng)技術(shù)是以大幅度提高單元密度和降低單元線寬為基礎(chǔ)的。在10V時(shí)，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫歐，30A STK850是2.9毫歐。結(jié)到外殼熱阻極低和結(jié)溫較低的特性是降低兩款MOSFET的通態(tài)電阻的主要因素。

電容低和柵電荷總量低使STK800成為非隔離型直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器的控制FET的理想選擇，同時(shí)極低的RDS(on)電阻使STK850成為一個(gè)優(yōu)秀的同步FET解決方案。較低的工作溫度有助于提高能效和使用壽命的可靠性。新的封裝加強(qiáng)了裸片保護(hù)，提高了制造過(guò)程中芯片拾放的便利性，并兼容現(xiàn)有的SMD組裝設(shè)備。新器件的多個(gè)貨源確?？蛻舨少?gòu)的靈活性。