宏力半導(dǎo)體加入ARM代工廠計(jì)劃

宏力獲得ARM7TDMI 和ARM926EJ處理器授權(quán)

2006年5月16日集成電路領(lǐng)先制造商上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司和ARM公司共同宣布，宏力半導(dǎo)體獲得ARM7TDMI和 ARM926EJ處理器以及相關(guān)的ARM Embedded Trace Macrocell芯片上調(diào)試外設(shè)，從而加入了ARM代工廠計(jì)劃。這項(xiàng)授權(quán)協(xié)議標(biāo)志著宏力半導(dǎo)體第一次獲得ARM CPU的授權(quán)，這將幫助宏力半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)更快的片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)和制造的上市時(shí)間。

宏力半導(dǎo)體全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)執(zhí)行副總裁郭天全博士表示：“我們同ARM的合作將會(huì)為我們現(xiàn)有的和新的無(wú)晶圓廠客戶(hù)提供更多的設(shè)計(jì)選擇、更短的設(shè)計(jì)周期和更快地上市時(shí)間。通過(guò)ARM代工廠計(jì)劃，我們獲得了為諸多嵌入式計(jì)算應(yīng)用制造高性能、低功耗SoC設(shè)計(jì)所需的工具和支持?！?

這次授權(quán)協(xié)議是在去年九月宏力半導(dǎo)體獲得ARM Artisan 物理IP的基礎(chǔ)上簽訂的。上次授權(quán)內(nèi)容包括Sage-X標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、通用I/O和內(nèi)存發(fā)生器，用于支持宏力半導(dǎo)體的0.18微米和0.13微米工藝技術(shù)。（請(qǐng)參見(jiàn)2005年12月20日新聞稿：宏力半導(dǎo)體采用ARM物理IP擴(kuò)展其0.18和0.13微米工藝）

通過(guò)這一新的代工廠計(jì)劃授權(quán)，宏力半導(dǎo)體將可以充分利用ARM7TDMI 和 ARM926EJ處理器和ETM-9片上調(diào)試外設(shè)。根據(jù)代工廠計(jì)劃的條款，雙方的客戶(hù)都可以快速整合及完成包含這兩種芯片中任一款的SoC設(shè)計(jì)。ARM7TDMI處理器目前可在0.18微米工藝下提供，ARM926EJ處理器和ETM9 宏單元將首先在0.13微米工藝下提供，未來(lái)將在其他工藝下提供。
ARM中國(guó)總裁譚軍博士表示：“宏力半導(dǎo)體對(duì)ARM代工廠計(jì)劃的支持將會(huì)使我們的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體合作伙伴可以使用全系列的處理器技術(shù)，加快他們產(chǎn)品的上市時(shí)間。我們同宏力半導(dǎo)體的合作進(jìn)一步充實(shí)了ARM技術(shù)所能提供的服務(wù)，并將幫助中國(guó)電子市場(chǎng)的進(jìn)一步發(fā)展?！?