STM32-F2系列微控制器
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- 有3條內(nèi)核總線的ARM Cortex-M3內(nèi)核
- 2個(gè)DMA控制器
- 高速 USB主設(shè)備控制器
- 10/100以太網(wǎng) MAC控制器
上圖中的黑點(diǎn)代表在這個(gè)7層總線結(jié)構(gòu)中總線主控制器與從控制器的全部接口。為提高系統(tǒng)的能效，SRAM存儲器被分成兩個(gè)存儲區(qū)SRAM1和SRAM2，SRAM1用于保存基本協(xié)議棧和變量，而SRAM2則用作通信外設(shè)的幀緩沖區(qū)。以太網(wǎng)和USB外設(shè)都占用了幾千字節(jié)的FIFO存儲空間，而且分別擁有一個(gè)各自專用的DMA控制器。
除多個(gè)SRAM分區(qū)外，該系統(tǒng)還有兩個(gè)AHB總線從控制器。同樣地，這樣的配置準(zhǔn)許不同的總線主控制器并行處理和同步訪問不同的高速外設(shè)，例如，加密處理器和通用輸入輸出端口。AHB從控制器和DMA控制器都是雙端口，這樣設(shè)計(jì)準(zhǔn)許在AHB總線上直接連接DMA控制器與高速外設(shè)，避免在總線矩陣和二級高速至低速橋上因延遲而降低性能。
外部存儲器接口又稱“靜態(tài)存儲控制器”，可直接連接不同的異步和同步存儲器、NOR/NAND閃存、SRAM、偽SRAM，甚至還能連接一個(gè)液晶顯示器控制器，外存接口總線頻率最高60MHz，還能通過指令總線(I-bus)獲取CPU內(nèi)核指令。
存儲器加速器
意法半導(dǎo)體的自適應(yīng)實(shí)時(shí)(ART)存儲器加速器(如上圖所示)可讓Cortex-M3內(nèi)核釋放最高的處理性能，雖然閃存本身需要等待狀態(tài)，但是，引入這項(xiàng)技術(shù)后，STM32-F2以120 MHz的速度從閃存執(zhí)行代碼無等待狀態(tài)。
存儲器接口是128位寬，每次可取4-8條THUMB2指令。如果執(zhí)行線性代碼，因?yàn)轭A(yù)取指功能，即便閃存速度只是內(nèi)核的四分之一，代碼執(zhí)行也不會出現(xiàn)等待狀態(tài)。
然而，如果執(zhí)行轉(zhuǎn)移或跳轉(zhuǎn)指令，需要立即取出轉(zhuǎn)移或跳轉(zhuǎn)目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，這樣，存儲器的等待狀態(tài)會增加系統(tǒng)開銷，這就是ART及其64項(xiàng)高速指令緩存發(fā)揮作用的地方。如果非順序指令第一次出現(xiàn)，這條指令將從存儲器中取出并保存在64項(xiàng)高速緩存的一個(gè)存儲項(xiàng)內(nèi)。在下一次出現(xiàn)時(shí)，該指令將從高速緩存中直接取出，沒有等待狀態(tài)。
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