飛思卡爾應(yīng)用的射頻功率性能新標準
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50V VHV6 RF LDMOS技術(shù)（第6代高電壓射頻橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）的開發(fā)促成了飛思卡爾的此次擴展。該技術(shù)在飛思卡爾廣為接受的28V LDMOS技術(shù)基礎(chǔ)上將工作電壓提高到50V，讓設(shè)計者能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率，超過當前ISM市場上的產(chǎn)品的性能水平。此外，該設(shè)備還采用了超模壓塑料封裝，從而提供了最經(jīng)濟高效的ISM解決方案。
飛思卡爾副總裁兼射頻部門總經(jīng)理Gavin P. Woods表示：“飛思卡爾在蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施射頻功率方面處于市場領(lǐng)導(dǎo)地位，同時還開發(fā)出50V LDMOS技術(shù)，這就使我們具備了得天獨厚的優(yōu)勢，能夠憑借真正的創(chuàng)新產(chǎn)品，將領(lǐng)導(dǎo)地位擴展到ISM市場。此外，我們還在超模壓塑料封裝技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)導(dǎo)地位，這使我們的客戶能夠開發(fā)最經(jīng)濟高效的ISM應(yīng)用解決方案，比如等離子發(fā)生器和磁共振成像（MRI）系統(tǒng)?！?
提高性能
飛思卡爾提供的ISM旗艦產(chǎn)品為MRF6V2300NB，它是功率為300W的50V LDMOS晶體管，其工作頻率為450 MHz，采用TO-272-WB-4超模壓塑料封裝制造。該設(shè)備能夠產(chǎn)生27dB的可觀增益，效率高達68%。憑借該產(chǎn)品的這種出色性能，ISM系統(tǒng)的設(shè)計者可以消除增益級（gain stages），從而降低總系統(tǒng)成本，減少占用板卡面積。除了出類拔萃的性能以外，該設(shè)備還具有極高的穩(wěn)定性，其耐用容錯性能達到10:1 VSWR。
六款針對ISM的創(chuàng)新產(chǎn)品
飛思卡爾正在擴展其產(chǎn)品到兩個不同的ISM頻率市場：HF/VHF市場和2.45 GHz的ISM頻帶市場。為了達到10-450 MHz的HF/VHF頻率間隔要求，飛思卡爾提供了三種采用VHV6 50V LDMOS技術(shù)的晶體管。這些晶體管包括旗艦產(chǎn)品MRF6V2300NB、MRF6V2150NB（功率150W，效率69%， 增益25dB）及MRF6V2010NB（功率10W，效率68%，增益25dB）。對于2.45 GHz的ISM頻帶，飛思卡爾提供三種使用28V LDMOS技術(shù)的設(shè)備：MRF6P24190H（功率190W，效率46%，增益13dB）、MRF6S24190H（功率140W，效率46%，增益13dB）和MW6IC2420NB（二級20W，效率21%，增益21dB）。
產(chǎn)品供貨信息
上述所有六種ISM設(shè)備現(xiàn)在已經(jīng)提供樣品。另外，所有三種2.45 GHz的設(shè)備已經(jīng)投產(chǎn)。MRF6V2150NB計劃于2006年8月完全投產(chǎn)，而MRF6V2300NB和MRF6V2010NB則計劃于2006年第四季度完全投產(chǎn)。
欲了解飛思卡爾的最新射頻功率設(shè)備的詳細信息，請訪問：www.freescale.com/rf。
關(guān)于飛思卡爾半導(dǎo)體
飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE: FSL，F(xiàn)SL.B)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，為汽車、消費、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)和無線市場設(shè)計和生產(chǎn)嵌入式半導(dǎo)體產(chǎn)品，并于2004年7月公開上市。公司總部位于德州奧斯汀，在全球30多個國家和地區(qū)擁有設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售機構(gòu)。飛思卡爾半導(dǎo)體是S&P 500â成員之一，也是全球最大的半導(dǎo)體公司之一，2005年的總銷售額達到58億美元。www.freescale.com
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