新聞中心

EEPW首頁 > 新品快遞 > NOVELLUS 力推用于65-NM先進平面化系統(tǒng)

NOVELLUS 力推用于65-NM先進平面化系統(tǒng)

作者: 時間:2004-07-23 來源: 收藏

Novellus Systems公司近日發(fā)布了用于300-mm晶圓生產(chǎn)的化學機械研磨(CMP)平臺,滿足并超越了65nm及其以下規(guī)格標準的技術(shù)和經(jīng)濟需求。Xceda 完全是為了應對新一代多層銅/低k結(jié)構(gòu)中的平面化挑戰(zhàn)而設計的,通過將溶劑利用率提高到40%,極大地減小了總擁有成本(CoO)。

Novellus Systems總裁 Sass Somekh博士表示:“我們深信Xceda所提供的核心技術(shù)將引領(lǐng)我們擴展到32-nm技術(shù)標準,而無需對平臺進行分裂性的改進。事實上,近期來自領(lǐng)先半導體研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)表明:Novellus的CMP技術(shù)方法完全可以應用于多孔滲水的超低k值(ULK)材料,生成令人滿意的平面化結(jié)果,其中材料的k值低于2.0。此外,Xceda過程還被加以優(yōu)化以實現(xiàn)有效的除銅,同時確保超低k值(ULK)材料能夠保持其完整性,不產(chǎn)生水印/缺陷。”

與傳統(tǒng)的化學機械研磨(CMP)設備相比,Xceda 通過配備4個獨立的拋光模塊,建立了全新的生產(chǎn)率基準,這四個獨立拋光模塊對形成業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能是至關(guān)重要的。該設備獨特的經(jīng)由襯墊的溶劑管理連同其獲專利的襯墊設計,形成了晶圓表面均衡的溶劑流,從而改善了一致性,同時減少了特征的凹陷和侵蝕。談到此設備,Novellus 化學機械研磨(CMP)事業(yè)部的副總裁兼總經(jīng)理Damo Srinivas 評價如下:“Xceda將幫助我們的客戶實現(xiàn)他們的技術(shù)目標,而無需犧牲對整體生產(chǎn)效率有重要影響的生產(chǎn)率和可靠性。從根本上講,Xceda代表了一種全新的化學機械研磨技術(shù)(CMP)-即將煩瑣的工藝過程轉(zhuǎn)變?yōu)楦唵巍⒏行У牟襟E的技術(shù)。”

NOVELLUS力推用于65-NM以及更小規(guī)格技術(shù)標準的先進平面化系統(tǒng)

VLSI調(diào)查公司認為在快速增長的銅化學機械研磨(CMP)空間中,Xceda是引人注目的新產(chǎn)品,公司的首席執(zhí)行官(CEO)兼總裁G. Dan Hutcheson 表示道:“Novellus正在再次實現(xiàn)這樣一個目標-為了滿足層出不窮的技術(shù)標準對技術(shù)和產(chǎn)能的需求而進行的平臺設計,實現(xiàn)技術(shù)、生產(chǎn)率、成本和可靠性等困擾化學機械研磨(CMP)工藝過程的各個方面?!?Hutcheson 進一步補充說:“當設備的創(chuàng)新特性被賦予了Novellus久經(jīng)考驗的銅專家技術(shù)時,它將為整個產(chǎn)業(yè)帶來可以信賴的、用于解決65納米以及更小規(guī)格銅饋線問題的化學機械研磨(CMP)領(lǐng)域的全新競爭者。”

銅化學機械研磨技術(shù)(CMP)市場是增長最快的工藝過程細分之一。據(jù)市場調(diào)查公司Dataquest 統(tǒng)計,2003年全球CMP市場總額為7億2千8百萬美元,預計到2008年這一數(shù)字將達到8億4千3百萬美元。分項跟蹤統(tǒng)計表明,到2008年,銅化學機械研磨技術(shù)(CMP)的市場總額將達到4億7千3百萬美元-其增長速度是全部化學機械研磨(CMP)市場增長速度的5倍之多。

Xceda 的技術(shù)和生產(chǎn)率優(yōu)勢還能夠用于其它膜層的平面化。依托于產(chǎn)品久經(jīng)考驗的產(chǎn)能績效和較低的耗材利用,Novellus 已經(jīng)收到了來自幾個客戶的第一個生產(chǎn)單元的制造委托

Xceda 于2004年6月12-14日期間,在美國舊金山召開的SEMICON West 上展出,展臺位于舊金山的Yerba Buena Center for the Arts。

XCEDA實質(zhì)

技術(shù)優(yōu)勢:
獲得專利的拋光技術(shù)實現(xiàn)了低k值和超低k值材料的整合
經(jīng)由襯墊的直接溶劑分配改善了一致性,減少了溶劑的使用
有效的壓盤設計形成了一個嵌入式的微通道分配,實現(xiàn)了一致性和跨整只晶圓的溶劑高目標化分配
具備專利技術(shù)的襯墊凹槽的全新襯墊配置實現(xiàn)了對晶圓溶劑的精確控制,從而改善了一致性
多區(qū)域負載Multi-zone carrier(拋光頭)最大化了對拋光性能的控制
先進的蒸氣干燥機實現(xiàn)了防水電介質(zhì)的無水印干燥
帶電刷的或兆頻超聲波的可配置清洗機實現(xiàn)了工藝過程的靈活性

生產(chǎn)率優(yōu)勢:
高產(chǎn)能的4個拋光模塊架構(gòu)
專門的裝載杯和調(diào)節(jié)裝置實現(xiàn)了更快的、可靠的晶圓處理
可配置的清洗機支持了工藝的靈活性
緊湊、簡單的設計,便于維護
工藝過程中和線上的度量控制實現(xiàn)了晶圓上100%的實時銅特征管理
比競爭產(chǎn)品少18%的處理步驟

NOVELLUS 力推用于65-NM以及更小規(guī)格技術(shù)標準的先進平面化系統(tǒng)

成本優(yōu)勢:Cost Advantages:
襯墊尺寸減小了百分之七十70
單只晶圓的襯墊成本降低了百分之50
溶劑的利用率提高到了百分之 40 
(在任意模塊組合下獨立地使用任意損耗材料組合)
空間占用節(jié)約了百分之22
可擴展到未來的技術(shù)標準-無需高成本、復雜的平臺變化


關(guān)鍵詞:

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉