基于SOPC的數(shù)據(jù)發(fā)生系統(tǒng)設計
全狀態(tài)移位計數(shù)器的狀態(tài)變化規(guī)律有兩個特點:狀態(tài)的最高位由反饋函數(shù)確定;余下的各位由原態(tài)移位得到。該系統(tǒng)采用的反饋函數(shù)為:本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/152472.htm
式中:Qi(i=1,…,8)為電路的現(xiàn)態(tài)。
2.2 乒乓結(jié)構模塊
2.2.1 乒乓結(jié)構的硬件實現(xiàn)
為了提高系統(tǒng)的傳輸速率,兩片SRAM構成了乒乓緩存結(jié)構,即在一片執(zhí)行寫操作的同時,另一片在執(zhí)行讀操作。乒乓結(jié)構模塊的原理如圖2所示,P1口與數(shù)據(jù)產(chǎn)生模塊相連接,僅具有寫入功能,P2口設計為Avalon從端口,與Avalon總線相連僅具有讀出功能。
對于數(shù)據(jù)產(chǎn)生模塊而言,由于僅具有并行數(shù)據(jù)的輸出,沒有地址和控制信號端口,故它無法直接對SRAM進行寫操作,因而要求乒乓結(jié)構模塊有地址產(chǎn)生功能。P1口的CLK作為計數(shù)器的脈沖源,計數(shù)器的輸出作為SRAM的地址。DBl連接數(shù)據(jù)產(chǎn)生模塊的輸出端。CBl為控制信號,因為P1口只有寫入功能,所以其we_n恒接低,oe_n恒接高。
P2口為只有讀出功能的Avalon從端口,所以AB2為從端口的地址線address;DB2為數(shù)據(jù)線readdata;CB2中的we_n為讀信號線read,oe_n恒接低。由于兩片SRAM始終處于工作狀態(tài),所以相應的片選信號chip_select_n恒接低。
兩片SRAM在P1口和P2口之間的切換的控制信號即chipselect,由計數(shù)器產(chǎn)生。當計數(shù)值小于262 144時,chipselect接低,SR1與P1口相接,SR2與P2口相接;當計數(shù)值在262 144~524 288之間時,chipselecl接高,SR1與P2口相接,SR2與P1口相接。當計數(shù)值到達524 288時,計數(shù)器清零。
2.2.2 Avalon從外設的端口信號設計
系統(tǒng)中,數(shù)據(jù)產(chǎn)生模塊與乒乓結(jié)構模塊結(jié)合為一個模塊,通過P2口掛在Avalon總線上。該模塊的信號列表如圖3所示。其中,avalon_slave_O接口類型的信號與Avalon總線相連接,而conduit_end接口類型的信號與SRAM相連接。圖3中的Avalon從端口即為P2口,采用了流水線讀傳輸?shù)哪J?,這種模式能在前一次傳輸返回readdata前開始一次新的傳輸,增加了帶寬。
2.2.3 動態(tài)地址對齊及其時許設計
Avalon總線模塊能夠適應主從外設的不同寬度和不匹配的數(shù)據(jù)寬度。當系統(tǒng)中村子不匹配的存儲口時,要考慮地址對齊問題。對于存儲器類型的外設,采用動態(tài)地址對齊方式。IDT71V416型SRAM是靜態(tài)RAM,屬于存儲器型外設,所以該Aalon從端口采用動態(tài)地址對齊方式,如圖4所示。選用動態(tài)地址對齊方式,使得主端口能連續(xù)地對從外設進行讀寫,并使系統(tǒng)將外設認作存儲器型外設。
根據(jù)IDT71V416型SRAM手冊中讀寫時序的各時間參數(shù)值設定set up,read wait,write wait及holdtime的時間均為10 ns,使該端口既符合Avalon總線讀寫時序的要求,又符合IDT71V416型SRAM的讀寫時序的要求,如圖5所示。
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