安森美半導體拓展功率MOSFET產(chǎn)品系列
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功率MOSFET優(yōu)化直流-直流轉(zhuǎn)換并降低CPU/GPU 供電、直流－直流轉(zhuǎn)換器及高低端轉(zhuǎn)換中的臨界電流水平功耗
安森美半導體推出18款優(yōu)化直流－直流轉(zhuǎn)換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計算應用中的CPU/GPU供電，直流－直流轉(zhuǎn)換及高低端開關，如臺式機、筆記本電腦和服務器中。
這些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是單個N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小，降低導電和開關損耗，使電源效率更高。
安森美半導體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應用的需要，安森美半導體一直在拓展PowerFET產(chǎn)品系列，以提供業(yè)內(nèi)品種最多的MOSFET。因為安森美半導體有多種生產(chǎn)這些新型MOSFET器件的制造資源，所以我們可以有效地處理突發(fā)的需求變化并進一步確保準時供貨?！?
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝，而每10,000片的批量預算單價在0.40至0.87美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
• NTD4804N 30 V 117 A 4 mΩ 30 nC
• NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
• NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ 15 nC
• NTD4808N 30 V 63 A 8 mΩ 11.3 nC
• NTD4809N 30 V 58 A 9 mΩ 10.7 nC
• NTD4810N 30 V 54 A 10 mΩ 9 nC
• NTD4813N 30 V 40 A 13 mΩ 6.9 nC
• NTD4815N 30 V 35 A 15 mΩ 6 nC
其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引腳封裝– 帶外露引腳框于背面使散熱更佳。這些器件的每10,000片的批量預算單價在0.71至0.91美元之間。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
• NTMFS4833N 30 V 191 A 2 mΩ 39 nC
• NTMFS4834N 30 V 130 A 3 mΩ 33 nC
• NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 mΩ 25 nC
• NTMFS4836N 30 V 90 A 4 mΩ 19.1 nC
• NTMFS4837N 30 V 74 A 5 mΩ 14.2 nC
• NTMFS4839N 30 V 66 A 6 mΩ 12 nC
• NTMFS4841N 30 V 57 A 7 mΩ 11.9 nC
• NTMFS4741N 30 V 67 A 8 mΩ 15 nC
• NTMFS4744N 30 V 53 A 10 mΩ 10 nC
• NTMFS4747N 30 V 44 A 13 mΩ 12 nC
更多關于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息，請訪問http://www.onsemi.com.cn 或聯(lián)系Kathleen Van Tyne (電郵地址: k.vantyne@onsemi.com)。
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