采用ICE2QS02G的液晶電視開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
主DC/DC 級(jí)解決方案#e#本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/164924.htm
4 主DC/DC 級(jí)解決方案:
目前,在提高主DC/DC 級(jí)的效率方面,準(zhǔn)諧振(QR)模式是最佳解決方案。QR 模式對(duì)負(fù)載變化的反應(yīng)快,非常適合負(fù)載從最低(甚至為零)變到最大額定功率的情況,它可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通,從而有效地降低開(kāi)通時(shí)的電流尖峰, 減少開(kāi)通時(shí)電流尖峰引起的EMI 噪聲,提高了效率。
在QR 理論中,當(dāng)功率額定值小于200 W 時(shí),建議在DC/DC 級(jí)采用準(zhǔn)諧振反激式拓?fù)洌?當(dāng)功率額定值超過(guò)200 W,可使用LLC 諧振轉(zhuǎn)換器。但是在實(shí)際應(yīng)用中,為了更好地在性能和成本之間取得平衡,設(shè)計(jì)者常常采用準(zhǔn)諧振反激式變換器配上適當(dāng)?shù)目刂菩酒鳛橹鱀C/DC 級(jí)的首選解決方案。
目前, 常用的準(zhǔn)諧振反激式變換器控制芯片有安森美的NCP1337、意法半導(dǎo)體公司的L6566、昂寶公司的OB2202 和OB2203 和英飛凌的ICE2QS02G。其中,NCP1337,L6566,OB2202 和OB2203 應(yīng)用在小功率LCDTV 開(kāi)關(guān)電源中,它們的性?xún)r(jià)比相仿。而ICE2QS02G 不但可應(yīng)用于小功率場(chǎng)合,還可以應(yīng)用于中高功率場(chǎng)合,另外從性?xún)r(jià)比方面看,它也優(yōu)于其他幾種芯片。為此,在準(zhǔn)諧振反激式變換器方案中,筆者選用ICE2QS02G 作為控制芯片。
ICE2QS02G 擁有數(shù)字降頻技術(shù),使得開(kāi)關(guān)頻率隨著負(fù)載的降低而降低,同時(shí)在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi),控制器能根據(jù)負(fù)載情況在不同的谷底點(diǎn)導(dǎo)通MOSFET, 使得轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗始終保持平衡, 轉(zhuǎn)換器獲得最高運(yùn)行效率,系統(tǒng)平均效率得到大幅度的提高。此情況下,就可以解決傳統(tǒng)的準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器(僅具備最大頻率限制)在自由運(yùn)行工作時(shí)所出現(xiàn)的如下問(wèn)題:當(dāng)系統(tǒng)負(fù)載在滿(mǎn)載范圍(50%~70%)時(shí),開(kāi)關(guān)頻率將會(huì)增大許多,使得設(shè)計(jì)者必須付出很大的努力來(lái)取得成本與優(yōu)化設(shè)計(jì)的平衡。此外,ICE2QS02G 還具備多種用戶(hù)可調(diào)的保護(hù)功能, 旨在保護(hù)系統(tǒng)并使得該IC 適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)合。在故障模式下,例如開(kāi)環(huán)控制回路/過(guò)載、輸出過(guò)壓和變壓器繞組短路等, 該器件將切換至自動(dòng)重啟模式或栓鎖模式。通過(guò)采用逐周期峰值電流限制和折返校正等方法,可降低變壓器尺寸,優(yōu)化次級(jí)二極管的電流等級(jí),從而提高設(shè)計(jì)的成本效率。
綜上所述,主DC/DC 級(jí)采用準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器以及對(duì)應(yīng)的控制芯片ICE2QS02G 是很好的解決方案。另外,在準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器中選用高壓MOSFET 開(kāi)關(guān)管(例如全新的800 V CoolMOS C3 系列開(kāi)關(guān)管), 可以降低主傳導(dǎo)損耗和MOSFET 的導(dǎo)通損耗,可使效率再提高1%~3%,很好地改善了主DC/DC 級(jí)的效率。
5 待機(jī)轉(zhuǎn)換器解決方案:
在全新的功耗規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)下, 要求LCD TV 開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗應(yīng)低于1 W。在此情況下,輸出功率很低甚至為零,系統(tǒng)的輸出電流接近于零,MOSFET 和二極管的導(dǎo)通損耗以及鐵芯損耗可以忽略, 二次測(cè)二極管的關(guān)斷損耗、MOSFET 的開(kāi)啟損耗也可以忽略, 待機(jī)狀態(tài)下的主要損耗是MOSFET 關(guān)斷損耗和啟動(dòng)電阻損耗。因此,降低這兩方面的損耗是降低待機(jī)功耗和設(shè)計(jì)待機(jī)轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵點(diǎn)。目前,設(shè)計(jì)者的首選解決方案是:設(shè)計(jì)獨(dú)立的待機(jī)轉(zhuǎn)換器,在待機(jī)轉(zhuǎn)換器中采用固定頻率反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的控制芯片。
在降低啟動(dòng)電阻損耗方面,傳統(tǒng)的方法多為降低啟動(dòng)電流同時(shí)增大啟動(dòng)電阻, 但實(shí)踐證明該方法的功效不明顯。為此,英飛凌提出了用一個(gè)開(kāi)關(guān)電路替代電阻的方法,在啟動(dòng)過(guò)程中,啟動(dòng)電路開(kāi)通,而當(dāng)IC 被激活后,啟動(dòng)電路關(guān)閉。實(shí)踐證明該方法可消除啟動(dòng)電阻的損耗。英飛凌的CoolSET F3 芯片就集成了這樣的電路以降低電源的損耗。
在降低MOSFET 關(guān)斷損耗方面, 由于MOSFET 關(guān)斷損耗與開(kāi)關(guān)頻率成比例,因而頻率越低損耗越小。然而,從開(kāi)關(guān)電源基本原理可知:在正常工作模式下,需要利用高頻來(lái)減小變壓器和濾波器等器件的尺寸, 而在待機(jī)模式下,低頻率有利于減小損耗。所以在待機(jī)轉(zhuǎn)換器解決方案中應(yīng)選用具有自動(dòng)降頻技術(shù)的集成功率IC。在一般的負(fù)載范圍,IC 工作在高頻, 當(dāng)輸出功率下降到某一特定閾值時(shí),IC 將會(huì)自動(dòng)減小開(kāi)關(guān)頻率。
在“自動(dòng)降頻技術(shù)”方面,目前較為普遍的有脈沖跳躍模式、突變模式及非導(dǎo)通時(shí)間調(diào)變等方式。在這些方式中,以英飛凌推出的主動(dòng)突變模式性能最優(yōu)越,該模式能在系統(tǒng)結(jié)束待機(jī)時(shí)保持輸出調(diào)節(jié)并為負(fù)載波動(dòng)做好準(zhǔn)備。從這方面考慮,再結(jié)合設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度和成本等因素,待機(jī)轉(zhuǎn)換器選擇英飛凌最新推出的ICE3BR4765J是很好的解決方案。ICE3BR4765J 具備獨(dú)有的主動(dòng)突變模式,加上還應(yīng)用了Bi-CMOS 生產(chǎn)制程,使產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了一個(gè)極低的待機(jī)功耗,例如可實(shí)現(xiàn)在12 W/5 V 的產(chǎn)品上僅有25 mW 的待機(jī)功耗。ICE3BR4765J在固定的開(kāi)關(guān)頻率上,加入了±4%的頻率抖動(dòng)功能,使整體EMI 水平降低, 從而減小用戶(hù)對(duì)額外的濾波器的要求和生產(chǎn)成本。ICE3BR4765J 內(nèi)部集成了650 V 的啟動(dòng)單元,大大簡(jiǎn)化了外圍電路的設(shè)置,從而降低了系統(tǒng)成本。
綜合以上分析,優(yōu)化的待機(jī)轉(zhuǎn)換器方案是:獨(dú)立設(shè)計(jì)反激式待機(jī)轉(zhuǎn)換器,并采用英飛凌最新推出的集成功率IC 芯片ICE3BR4765J。
基于上述PFC 級(jí)、主DC/DC 級(jí)和待機(jī)轉(zhuǎn)換器的解決方案, 可設(shè)計(jì)出圖3 所示的LCD TV 開(kāi)關(guān)電源解決方案框圖。
評(píng)論