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保護(hù)便攜應(yīng)用的高速數(shù)據(jù)線路

作者: 時(shí)間:2012-08-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

與無(wú)源元件相比,具有較低鉗位電壓的硅器件表現(xiàn)得更好。但是,有意思的是,同是硅器件,Semtech的Railclam技術(shù)和安森美半導(dǎo)體的“集成ESD”技術(shù)也有著重要差別。用以實(shí)現(xiàn)每種類(lèi)型技術(shù)的設(shè)計(jì)技術(shù)能夠確定它們對(duì)ESD脈沖鉗位得怎樣。許多用于降低電容的設(shè)計(jì)技術(shù)伴隨著具有較高ESD鉗位電壓的折衷。為了克服這個(gè)設(shè)計(jì)折衷而不犧牲鉗位電壓性能,安森美半導(dǎo)體運(yùn)用突破性的工藝技術(shù),將超低電容引腳二極管和大功率瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管集成到單個(gè)裸片上,能夠用作高性能的片外ESD解決方案。這新型集成ESD保護(hù)技術(shù)平臺(tái)保持了傳統(tǒng)TVS二極管技術(shù)極佳的鉗位和低泄漏性能,同時(shí)還將電容降低至0.5pF。這在鉗位性能方面領(lǐng)先業(yè)界,可確保最敏感集成電路的保護(hù)。


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