數(shù)字放大器的單端設(shè)計

數(shù)字放大器最大優(yōu)點之一是其具備設(shè)計復(fù)用的數(shù)字數(shù)據(jù)通路的靈活性。因為信號在到達(dá)揚聲器之前是保持在數(shù)字域的，所以在信號路由方面具有更大的靈活性。這種靈活性同時也能處理開發(fā)過程中和生產(chǎn)過程的填料選擇和/或固件變更。數(shù)字放大器有一個被稱為單端工作的常規(guī)模式。本文描述了單端設(shè)計基礎(chǔ)和工程相關(guān)的權(quán)衡考慮。

通常，數(shù)字放大器具有兩級架構(gòu)。如圖1所示，脈沖寬度調(diào)制(PWM)處理器后緊隨著功率級。邏輯級的PWM處理器通常接收IIS格式的音頻數(shù)據(jù)。它執(zhí)行音頻處理并將脈沖編碼調(diào)制(PCM)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成PWM數(shù)據(jù)。一般情況下，通過I²C總線控制PWM處理器以改變音量、語音控制或諸如均衡等其他音頻處理功能。大多數(shù)PWM處理器還具有另一個主要特征，即能改變信號路由，甚至是在運行過程中。這允許設(shè)計者能靈活地設(shè)計PCB布線，或允許用戶將音頻內(nèi)容發(fā)送到不同的揚聲器。功率級將接收到的3.3V PWM信號轉(zhuǎn)換成高壓信號，并通過MOSFET H橋和二階LC濾波器將其供給揚聲器。

包含MOSFET H橋的功率級如圖1所示。這里是將MOSFET用作開關(guān)，使得+V電壓能通過正/負(fù)向跨接到揚聲器。對于將揚聲器連接在兩個MOSFET半橋之間的大多數(shù)立體聲功率級而言，橋接負(fù)載(BTL)是標(biāo)準(zhǔn)的配置。單端(SE)是指每個揚聲器由單個MOSFET半橋驅(qū)動。相對BTL而言，SE的通道總數(shù)是其兩倍；但對于特定的輸出負(fù)載，SE各通道的功率約為其25%。在SE模式中，當(dāng)PWM信號為高電平時，接到揚聲器上的+V電壓是正向的；而PWM信號為低電平時，表示揚聲器接地。

數(shù)字放大器的單端工作模式如圖2所示，這與線性音頻放大器的單端工作并無太大差別。主要的區(qū)別在于重建濾波器(二階LC濾波器)把PWM信號中的高頻成分濾出，而只保留基帶音頻信號。直接將音頻信號供至揚聲器將導(dǎo)致一個很大的直流電壓加在揚聲器上，其值等于PVDD/2。由于揚聲器阻抗具有很大的感抗成分，這相當(dāng)于在電感兩端加載了一個很大的DC電壓，會導(dǎo)致電流直線上升至非常大值，進(jìn)而可能損壞揚聲器。因此，在放大器與揚聲器之間放置一個大電容以濾掉DC成分。但是，該電容也會使較低音頻成分產(chǎn)生衰減并在約為1/(2πR_spC)時出現(xiàn)3dB點，其中Rsp是揚聲器的阻抗。為了使更多的頻率帶寬通過揚聲器，須使用更大電容值的電容，但這要以成本和PCB面積為代價。

在上述的單端配置中，音頻信號以地為參考點。換言之，揚聲器的一端是接地的。隔離DC的另一方法是使用分離電容(split-cap)配置(如圖3所示)，因此音頻信號此時的參考電壓是PVDD/2。從交流(AC)的角度來說，當(dāng)C_sm=C_b/2時，圖2和圖3就沒有區(qū)別。額外插入電容時，C_s的半額定電流是C_b的一半，且C_s的等效串聯(lián)電阻(ESR)是C_b的兩倍，而音頻或溫度性能無任何變化。

圖1：具有H橋功率級的數(shù)字放大器數(shù)據(jù)通路

圖2：帶直流隔離電容配置的單端數(shù)字放大器

圖3：帶分離電容配置的單端數(shù)字放大器

與隔離電容配置相比較，分離模式配置的最大優(yōu)點是增加了電源紋波抑制比(PSRR)。圖4所示的曲線為TI的TAS5086/5142評估模塊(EVM)的PSRR測量值。在該EVM中，TAS5142評估板的功率級被配置成單端模式。也許有人會對一個開環(huán)單端放大器能具有如此高的PSRR感到奇怪。事實的原因是，PVDD的電壓變化(ΔPVDD)都處于分離電容的中點(都為ΔPVDD/2)，從而使得經(jīng)過揚聲器的PVDD變化被抵消掉了。

圖4：TI TAS5086/5142 EVM的單端PSRR曲線

SE分離模式的配置還需要解決下面兩個設(shè)計問題。如前所述，經(jīng)過重建濾波后的音頻信號有一個大小為PVDD/2的DC成分。若電容C_s是理想的，則兩電容的電壓都可充至PVDD/2，且沒有DC成分流經(jīng)揚聲器。然而，由于兩個電容不是理想的且存在偏差，所以直流電壓值并不等于PVDD/2。因此，上電后當(dāng)音頻信號傳至揚聲器時，將會有一個DC電壓通過揚聲器，從而導(dǎo)致“劈啪”聲。由于分離電容的充電時間為RC所決定的時間常數(shù)所限定，所以會導(dǎo)致另一個相關(guān)的問題。雖然，在分離電容充完電之前只要MOSFET不產(chǎn)生開關(guān)動作，該問題便不會發(fā)生。但實際應(yīng)用中這一點卻很難實現(xiàn)，因此會產(chǎn)生很大的“劈啪”聲。

針對上述兩個問題的解決方案是帶有一個專用于實現(xiàn)快速充電到PVDD/2的半橋的功率級，這在TAS5186A上已經(jīng)實現(xiàn)。其特點是具有50%的占空比，DC電壓輸出是PVDD/2，分離電容能進(jìn)行快速、準(zhǔn)確的充電。另一個給分離電容快速充電的方法是使用運算放大器。當(dāng)沒有專用的半橋時，采用運算放大器是一個行之有效的方法。

實際應(yīng)用中，包括上電“劈啪”聲、SNR、PSRR、總諧波失真+噪聲(THD+N)在內(nèi)的單端放大器的音頻性能數(shù)據(jù)是相當(dāng)好的，只比BTL的音頻性能稍為遜色。