CMOS功率放大器技術(shù)優(yōu)化單芯片手機方案設計

例如早先由英飛凌、恩智浦和Skyworks等供應商用專門的BiCMOS工藝制造的收發(fā)器模塊，這些模塊改用CMOS實現(xiàn)已有很長時間了，而且在某些場合它還被整合進系統(tǒng)級芯片中的手機主處理器內(nèi)。設計師一再發(fā)現(xiàn)，盡管采用要求苛刻的工藝可能會帶來電路模塊方面的挑戰(zhàn)，但從長期觀點看，用標準CMOS實現(xiàn)模擬模塊會得到回報。但CMOS工藝一直沒能成功進入功放(PA)模塊領(lǐng)域，而功放是手機內(nèi)的一個關(guān)鍵部件。

直到現(xiàn)在，PA的研制都是采用專門的GaAs或LDMOS工藝配以混合模塊封裝技術(shù)實現(xiàn)的，整體上它是一種代價高昂的制造流程，從而使PA占據(jù)著手機成本中的一大塊。功放要求所采用的特殊半導體工藝能夠提供高擊穿電壓、高增益和高頻晶體管元件?；旌戏庋b技術(shù)提供了高Q無源器件以生成50Ω的匹配電路。采用標準CMOS實現(xiàn)PA，意味著設計師必須面對沒有增強型晶體管和高Q無源器件的局面，從而使全集成PA的開發(fā)變得極富挑戰(zhàn)性。

最近出現(xiàn)了一種有可能利用CMOS工藝制造PA的新技術(shù)，這樣，PA就可以被放在一個簡單塑料封裝內(nèi)。分布式有源變壓器(DAT)技術(shù)如其所稱，其幾何結(jié)構(gòu)支持使用Q值相對低的半導體金屬來提供基于變壓器的匹配電路，從而省去了模塊封裝。將PA內(nèi)核分配到幾個塊中，再利用變壓器結(jié)構(gòu)方式整合電源以及其他多項專利技術(shù)，就可以省卻高擊穿電壓晶體管。

圖1：基于DAT的CMOS功放技術(shù)被應用于獨立型GPRS手機中。

DAT技術(shù)的發(fā)明是建立在加州理工學院的研究成果基礎(chǔ)上的。Axiom Microdevices公司對這項技術(shù)又進行了改進，實現(xiàn)了DAT PA的商用化生產(chǎn)，并對通用分組無線服務(GPRS)PA器件的產(chǎn)品化進行了完善，解決了諸如接收帶噪聲和需要在高壓電池組下工作等具體應用問題。

與GaAs等產(chǎn)品不同，由于功率內(nèi)核采用CMOS實現(xiàn)，所以偏置和調(diào)整GPRS類型PA功率所需的小信號控制電路可與主功率級電路集成在同一裸片內(nèi)，從而進一步降低了成本。PA內(nèi)核的集成還為支持線性調(diào)制方案提供了更大靈活性。傳統(tǒng)上，設計師一直采用如下兩種方法之一 ：一個是采用線性調(diào)制器和PA的“強制法”；另一個是更先進的“包絡重構(gòu)”法，此時非線性、高效的PA成為極化調(diào)制器的內(nèi)核。

對后一種方法而言，采用傳統(tǒng)的PA建構(gòu)技術(shù)將帶來嚴峻的挑戰(zhàn)。例如，用特殊工藝實現(xiàn)的PA內(nèi)核對溫度和工藝變化的響應與線性化電路是不同的。這種情況通常會導致極不合理的要求，即最終用戶或手機廠商必須增加工廠校準時間來進行補償，從而增加成本。相反，如果將PA內(nèi)核與其控制器集成在同一裸片上，則會為監(jiān)控或控制激勵提供多點接入。這樣，當設計師開發(fā)最佳性能和成本結(jié)構(gòu)的發(fā)送架構(gòu)時，就會有更多選擇。

下一步可預期的發(fā)展是將PA與手機內(nèi)的其他組件進一步整合，比如上述已經(jīng)采用CMOS工藝實現(xiàn)的基帶和收發(fā)器模塊。從大量出貨的Axiom公司AX502器件可以看出，基于DAT的CMOS功放技術(shù)用在單獨的GPRS產(chǎn)品內(nèi)是可行的。它還具有進一步整合的可能，從而幫助業(yè)界繼續(xù)滿足制造商和設計師對體積更小更具成本效益的芯片組的需求，并提供更多功能。