大功率LED的熱量分析與設(shè)計(jì)
1. 原理
半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率具有熱敏性,改變溫度可以顯著改變半導(dǎo)體中的載流子的數(shù)量。禁帶寬度通常隨溫度的升高而降低,且在室溫以上隨溫度的變化具有良好的線性關(guān)系,可以認(rèn)為半導(dǎo)體器件的正向壓降與結(jié)溫是線性變化關(guān)系:
ΔVf=kΔTj (K:正向壓降隨溫度變化的系數(shù))
則從公式(1)及其推導(dǎo)可知,大功率LED的熱阻(結(jié)點(diǎn)到環(huán)境)為:
Rthja=ΔVf /(K*Pd )
式中, Pd=熱消散速率,目前約有60%~70%的電能轉(zhuǎn)化為熱能,可取Pd=0.65*If*Vf計(jì)算。
只要監(jiān)測LED正向壓降Vf的改變,便可以求得K值并算出熱阻。
2. 測量系統(tǒng)
熱阻測試系統(tǒng)如圖4,要求測試中采用的恒溫箱控溫精度為±1℃,電壓精度1mv。圖中R1是分流電阻,R2用來調(diào)整流過LED的電流大小,通過電阻R1、R2和恒流源自身的輸出調(diào)節(jié),可以精確控制流過LED的電流大小,保證整個測試過程中流過LED的電流值恒定。
3. 測試過程
(1)測量溫度系數(shù)K:
a. 將LED置于溫度為Ta的恒溫箱中足夠時(shí)間至熱平衡,此時(shí)Tj1= Ta ;
b. 用低電流(可以忽略其產(chǎn)生的熱量對LED的影響,如If’ = 10mA)快速點(diǎn)測LED的Vf1;
c. 將LED置于溫度為Ta’(Ta’>Ta)的恒溫箱中足夠時(shí)間至熱平衡,Tj2=Ta’;
d. 重復(fù)步驟2,測得Vf2;
e. 計(jì)算K:K=(Vf2-Vf1)/(Tj2-Tj1)=(Vf2-Vf1)/( Ta’- Ta)
(2)測量在輸入電功率加熱狀態(tài)下的變化:
a. 將LED置于溫度為Ta的恒溫箱中,給LED輸入額定If使其產(chǎn)生自加熱;
b. 維持恒定If足夠時(shí)間至LED工作熱平衡,此時(shí)Vf達(dá)至穩(wěn)定,記錄If ,Vf;
c. 測量LED熱沉溫度(取其最高點(diǎn))Ts;
d. 切斷輸入電功率的電源,立即(〈10ms)進(jìn)行(1)之b步驟,測量Vf3。
(3)數(shù)據(jù)處理:△Vf= Vf3-Vf1,
取Pd=0.65*If*Vf計(jì)算:Rthja=△Vf/(K*Pd)Rthsa=(Ts-Ta)/Pd=(Ts-Ta)/(0.65*IF*Vf)Rthjs=Rthja-Rthsa
四、討論
1. Tj (P-N結(jié)點(diǎn)溫度)
一般而言,溫度會影響P-N結(jié)禁帶寬度,結(jié)點(diǎn)溫度升高造成禁帶寬度變窄,使得發(fā)光波長偏移,并引發(fā)更多的非可見光輻射導(dǎo)致發(fā)光效率降低。另外,晶片溫度過高會對晶片粘結(jié)膠及四周的保護(hù)膠造成不良影響,加快其老化速度,甚至可能引起失效。Lumileds公司提出的失效計(jì)算公式如下:
其中, 是結(jié)點(diǎn)溫度為T2時(shí)的失效概率,是結(jié)點(diǎn)溫度為T1時(shí)的失效概率,EA= 0.43eV,K=8.617*10-5 eV/K。根據(jù)此公式,失效概率隨著Tj的升高會愈來愈槽糕。
大功率LED產(chǎn)品的最高結(jié)點(diǎn)溫度(Tjmax)的高低主要取決于晶片的性能,若是封裝材料受溫度限制則Tjmax需適當(dāng)降低,通常Tjmax不能大于125℃。但是,隨著晶片技術(shù)的進(jìn)步和封裝技術(shù)的提高,目前可見到的K2系列產(chǎn)品之Tjmax已經(jīng)能達(dá)到150℃。
1. 計(jì)算、測量熱阻的意義
1) 為LED封裝散熱設(shè)計(jì)提供理論和實(shí)踐依據(jù)
a. 選擇合適的晶片:對晶片不能只要求出光效率高,必需針對制程中解決散熱的能力采用足夠高
Tjmax的晶片。在實(shí)踐中我們發(fā)現(xiàn),某些種類的晶片只經(jīng)過24H老化就有較大衰減,這與其耐高溫性能比較差相關(guān)。
b. 評估/選擇支架、散熱鋁基板:依Rthsa或Rthba作為目標(biāo)值,查對物料供應(yīng)商提供的物料資料并計(jì)算其熱阻,剔除不合要求的物料。通過試樣,測試、對比不同物料的熱阻,可做到擇優(yōu)而用。
C. 評估粘結(jié)膠及其效果:一般使用到的晶片粘結(jié)膠是銀膠或錫膏,熱沉與散熱鋁基電路板間的結(jié)合膠是導(dǎo)熱硅膠或其它散熱膠,膠體的導(dǎo)熱系數(shù)、膠的厚度、結(jié)合面的質(zhì)量制約熱阻的大小。粘結(jié)膠是否合適,必需通過實(shí)驗(yàn),測得熱阻作為評估結(jié)論的判斷依據(jù)之一。
2) 推測Tj
通過熱阻等參數(shù)可以推測Tj,進(jìn)而可以與設(shè)定的Tjmax比較,檢驗(yàn)Tj是否符合要求。晶片溫度與產(chǎn)品失效概率密切相關(guān),在知悉某Tj時(shí)的失效概率的情況下,可以求得產(chǎn)品在推測出來的Tj時(shí)的失效概率。
3) 評估LED工作時(shí)可能遭遇的最高環(huán)境溫度
設(shè)定Tjmax后,相應(yīng)地可以導(dǎo)出環(huán)境溫度的最高值。為了保證產(chǎn)品的信賴性,大功率LED產(chǎn)品應(yīng)給出散熱鋁基電路板的表面最高溫度或環(huán)境(空氣)溫度以指導(dǎo)下游應(yīng)用產(chǎn)品的開發(fā)。
2. 在大功率LED的應(yīng)用中改善熱量處理
前面提到大功率LED的P-N結(jié)溫(Tj)過高會引起發(fā)光衰減、使用壽命縮短、波長漂移等問題,為保證Tj低于Tjmax,要求合理設(shè)計(jì)二次散熱結(jié)構(gòu),并計(jì)算最大輸入功率、大功率LED應(yīng)用產(chǎn)品的環(huán)境溫度。
設(shè)計(jì)大功率LED應(yīng)用產(chǎn)品時(shí),應(yīng)盡量選擇導(dǎo)熱性較好的材料并設(shè)計(jì)散熱通道,減少熱阻薄弱環(huán)節(jié)。使用過程中,對于Ta較高的環(huán)境,在無法減小熱阻的情況下,可適當(dāng)降低輸入電功率,即減少Pd值,犧牲亮度以保證信賴性。
五、總結(jié)
通過對大功率LED熱的產(chǎn)生、熱阻、結(jié)溫概念的理解和理論公式的推導(dǎo)及熱阻測量,我們可以指導(dǎo)大功率LED的實(shí)際封裝設(shè)計(jì)、評估和產(chǎn)品應(yīng)用。需要說明的是,文中說明的電壓法測量熱阻方法簡單但操作上有一定難度,需反復(fù)實(shí)驗(yàn)、修正。熱量管理是在LED產(chǎn)品的發(fā)光效率不高的現(xiàn)階段的關(guān)鍵問題,從根本上提高發(fā)光效率以減少熱能的產(chǎn)生才是釜底抽薪之舉,這需要晶片制造、LED封裝及應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)各環(huán)節(jié)技術(shù)的進(jìn)步。
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