TEA1520系列單片開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用電路及設(shè)計(jì)要點(diǎn)介紹
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圖4 輸出功率與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系曲線
下面介紹TEA1520系列單片開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。需要指出,設(shè)計(jì)TEA1520系列時(shí)所用的公式與TOPSwitch-Ⅱ系列有所不同,原因之一是這兩種芯片的特性存在差異,原因之二是在設(shè)計(jì)方法上二者有一定區(qū)別。下面以3W精密開(kāi)關(guān)電源為例,介紹TEA1520系列的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
3.1 開(kāi)關(guān)頻率
通過(guò)選擇振蕩電阻與振蕩電容值,即可設(shè)定開(kāi)關(guān)頻率,允許范圍是20kHz~200kHz。取R2=7.5kΩ、C5=330pF時(shí),開(kāi)關(guān)頻率f≈115kHz,可近似視為100kHz。振蕩電容容量的允許范圍是220~1000pF,不得小于220pF,否則電路可能不起振。如取C5=100pF時(shí),欲設(shè)計(jì)f=200kHz,開(kāi)關(guān)電源就無(wú)法正常工作。
3.2 高頻變壓器的設(shè)計(jì)
1)一次繞組的電感量LP
計(jì)算LP的公式為
LP= (1)
式中:IP為一次繞組的峰值電流。
2)磁芯的選擇
所選用的磁芯應(yīng)能滿足存儲(chǔ)最大能量并留有一定氣隙寬度的要求。但二者之間也存在著矛盾,盡管增大氣隙寬度可以存儲(chǔ)更多的能量,但泄漏電感也會(huì)隨之增大,因此應(yīng)做綜合考慮。高頻變壓器所存儲(chǔ)的最大能量(EM)由下式確定:
EM=10-6IP2LP (2)
式中:IP、LP的單位分別取mA、mH,EM的單位是mJ。
計(jì)算每邊留出氣隙寬度的公式為
δ= (3)
式中:δ為磁芯每邊留出的氣隙寬度(單位是mm),一般取0.1~0.3mm;
SJ為磁芯有效截面積(單位是mm2);
BM為最大磁通密度(單位是mT),一般可取275mT,這樣在工作時(shí)不會(huì)進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。
有關(guān)高頻變壓器磁芯的選擇,可參閱表1。磁芯型號(hào)中的三組數(shù)字,分別表示磁芯的長(zhǎng)度、寬度和厚度(單位是mm)。所選擇的磁芯應(yīng)符合下述條件
EM(δ1)≤EM≤EM(δ2) (4)
表1 磁芯的選擇
所存儲(chǔ)的最大容量EM/mJ | 磁芯的型號(hào) | 有效截面積SJ/mm2 | |
---|---|---|---|
δ1=0.1mm | δ2=0.3mm | ||
0.10 | 0.23 | E13/7/4 | 12.40 |
0.13 | 0.33 | E16/12/5 | 19.40 |
0.14 | 0.34 | E16/8/5 | 20.10 |
0.15 | 0.35 | E13/6/6 | 20.20 |
0.20 | 0.45 | E19/8/5 | 22.60 |
0.21 | 0.50 | E20/10/5 | 31.20 |
0.27 | 0.62 | E20/10/6 | 32.00 |
0.33 | 0.78 | E25/9/6 | 38.40 |
0.38 | 0.88 | E19/8/9 | 41.30 |
0.45 | 1.00 | E25/13/7 | 52.00 |
0.64 | 1.40 | E30/15/7 | 60.00 |
0.74 | 1.80 | E31/13/9 | 83.20 |
0.74 | 1.80 | E32/16/9 | 83.00 |
0.74 | 1.80 | E34/14/9 | 80.70 |
EM=10-6IP2LP=10-6×3302×1.8=0.19mJ
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