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TEA1520系列單片開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用電路及設(shè)計(jì)要點(diǎn)介紹

作者: 時(shí)間:2012-05-02 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/171520.htm

圖4 輸出功率與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系曲線

3

下面。需要指出,時(shí)所用的公式與TOPSwitch-Ⅱ有所不同,原因之一是這兩種芯片的特性存在差異,原因之二是在設(shè)計(jì)方法上二者有一定區(qū)別。下面以3W精密為例,系列的設(shè)計(jì)。

3.1 開(kāi)關(guān)頻率

通過(guò)選擇振蕩電阻與振蕩電容值,即可設(shè)定開(kāi)關(guān)頻率,允許范圍是20kHz~200kHz。取R2=7.5kΩ、C5=330pF時(shí),開(kāi)關(guān)頻率f≈115kHz,可近似視為100kHz。振蕩電容容量的允許范圍是220~1000pF,不得小于220pF,否則可能不起振。如取C5=100pF時(shí),欲設(shè)計(jì)f=200kHz,就無(wú)法正常工作。

3.2 高頻變壓器的設(shè)計(jì)

1)一次繞組的電感量LP

計(jì)算LP的公式為

LP= (1)

式中:IP為一次繞組的峰值電流。

2)磁芯的選擇

所選用的磁芯應(yīng)能滿足存儲(chǔ)最大能量并留有一定氣隙寬度的要求。但二者之間也存在著矛盾,盡管增大氣隙寬度可以存儲(chǔ)更多的能量,但泄漏電感也會(huì)隨之增大,因此應(yīng)做綜合考慮。高頻變壓器所存儲(chǔ)的最大能量(EM)由下式確定:

EM=10-6IP2LP (2)

式中:IP、LP的單位分別取mA、mH,EM的單位是mJ。

計(jì)算每邊留出氣隙寬度的公式為

δ= (3)

式中:δ為磁芯每邊留出的氣隙寬度(單位是mm),一般取0.1~0.3mm;

SJ為磁芯有效截面積(單位是mm2);

BM為最大磁通密度(單位是mT),一般可取275mT,這樣在工作時(shí)不會(huì)進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。

有關(guān)高頻變壓器磁芯的選擇,可參閱表1。磁芯型號(hào)中的三組數(shù)字,分別表示磁芯的長(zhǎng)度、寬度和厚度(單位是mm)。所選擇的磁芯應(yīng)符合下述條件

EM(δ1)≤EM≤EM(δ2) (4)

表1 磁芯的選擇

所存儲(chǔ)的最大容量EM/mJ磁芯的型號(hào)有效截面積SJ/mm2
δ1=0.1mmδ2=0.3mm
0.100.23E13/7/412.40
0.130.33E16/12/519.40
0.140.34E16/8/520.10
0.150.35E13/6/620.20
0.200.45E19/8/522.60
0.210.50E20/10/531.20
0.270.62E20/10/632.00
0.330.78E25/9/638.40
0.380.88E19/8/941.30
0.451.00E25/13/752.00
0.641.40E30/15/760.00
0.741.80E31/13/983.20
0.741.80E32/16/983.00
0.741.80E34/14/980.70
舉例說(shuō)明,現(xiàn)采用E13/7/4型磁芯,查表1可知SJ=12.40mm2。已知LP=1.8mH,BM=275mT,令I(lǐng)P=330mA,分別代入式(2)和式(3),計(jì)算出

EM=10-6IP2LP=10-6×3302×1.8=0.19mJ

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