單片機硬件參數(shù)設(shè)計解析
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③ 混合信號PCB的分區(qū)設(shè)計。第一個原則是盡可能減小電流環(huán)路的面積；第二個原則是系統(tǒng)只采用一個參考面。相反，如果系統(tǒng)存在兩個參考面，就可能形成一個偶極天線；而如果信號不能通過盡可能小的環(huán)路返回，就可能形成一個大的環(huán)狀天線。對于實在必須跨區(qū)的情況，需要通過，在兩區(qū)之間加連接高頻電容等技術(shù)。
④ 通過PCB分層堆疊設(shè)計控制EMI輻射。PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計技巧，通過合適的疊層也可以降低EMI。
從信號走線來看，好的分層策略應(yīng)該是把所有的信號走線放在一層或若干層，這些層緊挨著電源層或接地層。對于電源，好的分層策略應(yīng)該是電源層與接地層相鄰，且電源層與接地層的距離盡可能小，這就是我們所講的“分層＂策略。
⑤ 降低EMI的機箱設(shè)計。實際的機箱屏蔽體由于制造、裝配、維修、散熱及觀察要求，其上一般都開有形狀各異、尺寸不同的孔縫，必須采取措施來抑制孔縫的電磁泄漏。一般來說，孔縫泄漏量的大小主要取決于孔的面積、孔截面上的最大線性尺寸、頻率及孔的深度。
⑥ 其它技術(shù)。在IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而，問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性，這使得電容無法在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降，這些瞬態(tài)電壓就是主要的共模EMI干擾源。為了控制共模EMI，電源層要有助於去耦和具有足夠低的電感，這個電源層必須是一個設(shè)計相當(dāng)好的電源層的配對。問題的答案取決于電源的分層、層間的材料以及工作頻率(即IC上升時間的函數(shù))。通常，電源分層的間距是0.5mm（6mil），夾層是FR4材料，則每平方英寸電源層的等效電容約為75pF。顯然，層間距越小電容越大。
5 熱設(shè)計
電子元件密度比以前高了很多，同時功率密度也相應(yīng)有了增加。由于電子元器件的性能會隨溫度發(fā)生變化，溫度越高其電氣性能會越低。
(1)數(shù)字電路散熱原理
半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的熱量來源于芯片的功耗，熱量的累積必定導(dǎo)致半導(dǎo)體結(jié)點溫度的升高。隨著結(jié)點溫度的提高，半導(dǎo)體器件性能將會下降，因此芯片廠家都規(guī)定了半導(dǎo)體器件的結(jié)點溫度。在高速電路中，芯片的功耗較大，在正常條件下的散熱不能保證芯片的結(jié)點溫度不超過允許工作溫度，因此需要考慮芯片的散熱問題。
在通常條件下，熱量的傳遞通過傳導(dǎo)、對流、輻射3種方式進(jìn)行。
散熱時需要考慮3種傳熱方式。例如使用導(dǎo)熱率好的材料，如銅、鋁及其合金做導(dǎo)熱材料，通過增加風(fēng)扇來加強對流，通過材料處理來增強輻射能力等。
簡單熱量傳遞模型：熱量分析中引入一個熱阻參數(shù)，類似于電路中的電阻。如果電路中的電阻計算公式為R=ΔE/I，則對應(yīng)的熱阻對應(yīng)公式為R=Δt/P（P表示功耗，單位W；Δt表示溫差，單位℃）。熱阻的單位為℃/W，表示功率增加1W時所引起的溫升。考慮集成芯片的熱量傳遞，可以使用圖5描述的溫度計算模型。
由上所述，可推導(dǎo)出
Tc＝Tj－P× RJC
也就是說，當(dāng)Tc實測值小于根據(jù)數(shù)據(jù)手冊所提供數(shù)據(jù)計算出的最大值時，芯片可正常工作。
(2)散熱處理
為了保證芯片能夠正常工作，必須使Tj不超過芯片廠家提供的允許溫度。根據(jù)Tj=Ta+P×R可知，如果環(huán)境溫度降低，或者功耗減少、熱阻降低等都能夠使Tj降低。實際使用中，對環(huán)境溫度的要求可能比較苛刻，功耗降低只能依靠芯片廠家技術(shù)，所以為了保證芯片的正常工作，設(shè)計人員只能在降低熱阻方面考慮。
結(jié) 語
以上提到的高速單片機設(shè)計思想和方法，目前已經(jīng)在國外的公司得到實踐和發(fā)展，但是國內(nèi)這方面的研究和實踐還很少。該設(shè)計思想在我們公司實踐、摸索，提高了產(chǎn)品可靠性。在這里推薦給各位同行，期望共同探討。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/172743.htm
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