反激式(RCD)開關電源原理及設計

從圖上看到MOS的Vds有個很大的尖峰，我用的200V的MOS，尖峰到了196了。這是尖峰是由于漏感造成的，上邊說到漏感的能量不能耦合到次級，那么MOS關斷的時候，漏感電流也不能突變，所以會產(chǎn)生個很高的感應電動勢，因無法耦合到次級，會產(chǎn)生個很高的電壓尖峰，可能會超過MOS的耐壓值而損壞MOS管，所以我們實際使用時會在初級加一個RCD吸收電路，把尖峰盡可能的吸到最低值，來確保MOS管工作在安全電壓。具體RCD吸收電路圖如下

簡單分析下工作原理

1.當開關S開通時，二極管D反騙而截至。電感儲存能量。

2當開關S關斷時，電感電壓反向，把漏感能量儲存在C中，然后通過R釋放掉。細心的朋友可能會發(fā)現(xiàn)，當開關關斷的時候，這個RCD電路和次級的電路是一模一樣的，D整流，C濾波。R相當于負載。只不過輸出電壓不是VO，而變成了次級反射到初級的電壓VF。所以，注意了，R的值不能取得太小，太小了損耗嚴重，影響效率。而且電阻的功率會變的很大!

下邊來個加了RCD吸收的波形

關于RCD吸收的選取網(wǎng)上有很多文章，在以后我會介紹下!大家也可以看我的博客(只要在百度里搜老梁頭的博客，就會出來。里邊有一篇介紹RCD的)

原理先講到這里吧，下邊我講下變壓器的設計!

今天講下變壓器的設計方法!

變壓器的設計方法有多種，個人感覺適合自己的才是最好的，選擇一個你自己最熟悉的，能夠理解的才是最好的!

我先介紹下一種設計方法：

1.先確定輸入電壓，一般是按照最低輸入直流電壓計算VINmin計算

A.要是直流輸入按直流的最低輸入來計算;

B.要是輸入為交流電，一般對于單相交流整流用電容濾波，直流電壓不會超過交流輸入電壓有效值的1.4倍，也不低于1.2倍。

列如，全范圍交流輸入85-265VAC的電源，一般按85VAC時計算，那VINmin=85*1.2=102V，一般會取整數(shù)按100VDC計算。

2.確定導通時間Ton

導通時間Ton=T*D

T為周期 T=1/F

D為最大占空比，一般在最低輸入電壓的時候，D會最大，保證輸出穩(wěn)定。

注意大的占空比可以降低初級的電流有效值，和MOS的導通損耗，但是根據(jù)伏秒法則，初級占空比大了，次級的肯定會小，那么次級的峰值電流會變大，電流有效值變大，會導致輸出紋波變大!所以，一般單端反激拓撲的占空比選取不要超過0.5。

而且一般的電流控制模式，占空比大于0.5要加斜率補償?shù)模瑢φ{(diào)試是個難度。

還有一重要的是你的占空比決定你的匝比，匝比決定啥，嘿嘿，反射電壓VF，忘了再去上邊看下，再加上你漏感引起的尖峰，最終影響你MOS的耐壓。占空比越小匝比越小，反射電壓VF越低，MOS的電壓應力小。反之MOS的電壓應力大，所以占空比要考慮好了。要保證再最高電壓下你的VDS電壓在MOS的規(guī)定電壓以下，最好是降額使用，流出足夠的余量來!

列如，電源的開關頻率為100K，最低輸入時的最大占空比為0.4，那T=1/100000=10μS，那么Ton=0.4*10μS=4μS。

3.確定磁芯的有效面積AE

AE一般會在磁芯的資料中給出。

4.計算初級匝數(shù)NP

NP=VINmin*Ton/ΔB*AE

式中VINmin為直流最低輸入電壓;

Ton為導通時間

AE為磁芯的有效面積

ΔB為磁感應強度變化量，這個值和磁芯材質(zhì)，及溫升等有關，一般考經(jīng)驗來選取，在0.1-0.3之間，取得越大，余量越小，變壓器在極端情況下越容易飽和!俺一般取0.2。

5.計算次級匝數(shù)NS

NS=(Vo+Vd)*(1-D)*NP/VINmin*D

式中Vo為輸出電壓

Vd為二極管管壓降

D為占空比

NP為初級匝數(shù)

VINmin為最低輸入電壓

6.確定次級整流二極管的應力VDR

上邊算出變壓器的初級匝數(shù)NP和次級匝數(shù)NS后，就可以得出次級整流二極管的電壓應力

VDR=(VINmax*NS/NP)+VOUT

式中VINmax為最大輸入電壓，要保證在最高輸入電壓下你的二極管的電壓應力不超標。一般算出來的這個VDR還要考慮降額使用，所以二極管的耐壓要高于這個VDR值。

一般還要在整流管上并一個RC吸收，從而降低二極管反向回復時間造成的電壓尖峰!尤其是CCM模式的時候!

7.確定初級電感量LP

確定電感量之前我們先看下上邊的兩個電流圖

對于上圖是兩種工作模式的初級電感電流波形，我加了兩個參數(shù)Ip1和Ip2;

Ip1對應最低輸入電流

Ip2對應最高峰值電流

有上邊這兩個我們也就可以算出平均電流Iavg了

Iavg=(Ip1+Ip2)Dmax/2

式中Dmax為最大占空比

如果輸出功率為Pout，電源效率為Η，那么

Pout/Η=VINmin*Iavg=VINmin*(Ip1+Ip2)Dmax/2

得出Ip1+Ip2=2Pout/VINmin*Dmax*Η

然后就可以計算Ip1和Ip2的值了

對于DCM來說，電流是降到零的，所以Ip1為零

對于CCM來說Ip1和Ip2都是未知數(shù)，又出來個經(jīng)驗選擇了，一般取Ip2=(2-3)Ip1，不能取得太小，太小了會有一個低電流斜率，雖然這樣損耗小點，但容易使變壓器產(chǎn)生磁飽和，也容易使系統(tǒng)產(chǎn)生震蕩!俺一般取Ip2=3Ip1。

計算出Ip1和Ip2后，這時候可以計算初級的電感量了

在Ton內(nèi)電流的變化量ΔI=Ip2-Ip1

根據(jù)(VINmin/LP)*Ton=/ΔI

得出LP=VINmin*Ton/ΔI

到此變壓器的初級電感量計算完畢，變壓器的參數(shù)也計算完畢!

還有一種計算方法，就是按照上邊的確定初級電感量的方法先確定電感量，然后來選擇磁芯，選擇磁芯的方法有很多種，一般最常用的是AP法

這個公式是看資料上的，具體我也沒推倒過具體可以看看趙修科老師的那本《開關電源中的磁性元器件》。

式中L為初級電感量也就是LP

Isp為初級峰值電流Ip也就是ΔI，

I1L為滿載初級電流有效值，但我往往會把Isp和I1L看成是一個，都是初級的峰值電流，所以仁者見仁智者見智，大家可以到應用時具體的來微調(diào)!

Bmax為磁感應強度變化量也就是ΔB.這個取值和上邊一樣，取得太大，磁芯小但容易飽和，而取得太小磁芯的體積又很大，所以一般折中取值!而且和頻率關系也很大，要是頻率很高，建議取小點，因為頻率高了損耗也大，變壓器大了有利于散熱俺經(jīng)常取0.2!

K1=Jmax*Ko*10-4

其中Jmax為最大電流密度 俺一般取450A/平方厘米。但趙老師書里取得是420A/平方厘米

Ko為窗口面積，有的也叫窗口利用率吧，一般取0.2-0.4，具體要看繞線的結構了，比如加不加擋墻等因素，所以選取時要充分考慮，免得因取得變壓器太小，結構要求苛刻而繞不下，導致項目失敗!

10-4是由米變厘米的系數(shù)

所以上式整理下可得

AP=Aw*Ae=(LP*IP2*104/450*ΔB*Ko)4/3Cm4

計算出了AP就可以找到合適的磁芯，然后找到Ae再根據(jù)式

NP=LP*IP/ΔB*Ae

式中LP就是上邊算得初級電感量

IP為初級峰值電流

ΔB為磁感應強度變化量

AE為磁芯的有效面積

后邊的次級匝數(shù)NS和次級整流二極管電壓應力的確定就和上邊的步驟5和6一樣了!

那這兩種初級匝數(shù)NP的確定方法到底哪個對呢，可以告訴大家都對。根據(jù)電磁磁感應定律：

(VINmin/LP)*Ton=IP

所以VINmin*Ton=L*Ip

所以這兩個從本質(zhì)上式一樣的。

所以個人覺得第一個適合有經(jīng)驗的工程師，可以憑經(jīng)驗來選擇變壓器，然后來計算變壓器參數(shù)而第二種適合初學者，先確定變壓器再算變壓器參數(shù)，免得因自己經(jīng)驗不足而走了彎路!

變壓器說到這把，以上是自己的個人意見，歡迎大家批評指正。其實設計出來的參數(shù)僅供參考，由于變壓器的漏感，PCB的布局，走線等因素會在調(diào)試時做微調(diào)，最后做出一個最優(yōu)的、可靠的產(chǎn)品!