用于單片集成開關IC開關電源的反激式變壓器設計(一)

作者：時間：2012-11-06 來源：網(wǎng)絡

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本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/176013.htm

現(xiàn)在可以計算氣隙的厚度了。氣隙僅在磁芯的中間部分研磨，這樣有助于防止磁芯邊沿磁通泄漏對周圍元件產(chǎn)生EMI噪聲(然而對于發(fā)展中或小的產(chǎn)品用絕緣材料墊在磁芯外部獲得所需氣隙是可以接收的。但必須切記外部氣隙是計算值的一半)。Ig最小是0.051mm，這是Alg的約束和研磨容許誤差。Ig計算公式如下：

隨著參數(shù)的計算和確定我們現(xiàn)在需要計算合適的導線規(guī)格。首先需要根據(jù)實際骨架寬度(BW)計算可用骨架寬度(BWA),初級繞組(L)層數(shù)，余留寬度(M)。初級可繞1，2層或3層但要盡量減少層數(shù)以降低初級繞組電容(也可用膠帶絕緣初級能有效的降低繞組電容)和漏電感。余留尺寸取決于由系統(tǒng)輸入電壓和安全處理決定的所需絕緣程度(詳見第4部分變壓器結(jié)構)。另一可行辦法是次級

繞組絕緣增大3倍就無需余留空間，這一方法通常應用于主要考慮變壓器尺寸的場所，此發(fā)能減小變壓器尺寸，但通常引起成本增加

現(xiàn)在根據(jù)可利用的繞組寬度計算出初級導線規(guī)格，由初級匝數(shù)計算出包括絕緣層在內(nèi)的導線外(OD，mm)。計算的目的是為了讓初級繞組覆蓋整個骨架寬度以產(chǎn)生最強的耦合

現(xiàn)在由第5部分的導線規(guī)格表(它是個好的開始)或者廠商提供的合適的導線規(guī)格表可以選擇與所計算OD值相匹配的導線規(guī)格。依此能得到導線的圓密爾值(CM)，進一步可以計算初級繞組電流容量(它是反推電流密度的基礎)它被定義為“圓密爾每安培”或CMA

計算的CMAp值應在200~500之間，低于200的電流密度太高，它會導致發(fā)熱和功率損耗，高于500導線未被利用到額定電流容量值。如果計算的CMAp低于200需重復計算，可以增加繞組層數(shù)或選擇大一規(guī)格的磁芯。

如果CMAp高于500就減少繞組層數(shù)或小一規(guī)格的磁芯進行重復計算。作為一個規(guī)范初級導線規(guī)格應在26AWG之內(nèi)。這是因為在高頻時電流只在導線表面流動，大規(guī)格導線的中心沒有被利用，電流集中在導線表面，這樣就減小了導線有效栽流截面?？梢杂枚喙蓪Ь€克服這以問題，例如多股標準26AWG導線可給出相同的有效CMA。

現(xiàn)在我們需要計算輔助繞組導線規(guī)格和次級繞組導線規(guī)格(或多路輸出電源的繞組)。利用下式能夠計算出適當繞組的次級峰值電流

此處Pox是所計算的次級繞組的輸出功率，Po是先前計算的總輸出功率。這確保所計算的次級峰值電流和特定輸出功率相匹配，這一點對多路輸出電源很重要，能保證次級導線規(guī)格不超標，這假定次級是單獨繞組。一個可選的辦法是疊加

次級繞組，通過合并輸出返回連接端能夠減少骨架所需引腳數(shù)。這兩種次級繞組安排見下圖3。

圖3 次級繞組的兩種不同安排

在圖3所示例子中次級S1傳導S1，S2，S3的和電流，次級S2傳導S2，S3的和電流，因此導線的規(guī)格必須于之相適應。Ispx計算公式變?yōu)橄率剑?/p>

此處ΣPox是各繞組功率之和，例如在圖3 b)中S1+S2+S3為S3繞組，S1+S2為S2繞組。S3仍舊傳導它自己的電流，計算是簡單的?，F(xiàn)在次級RMS電流(Isrms)可以下式計算：

圖4給出IR40xx漏極電壓，初級電流，變壓器次級電壓和次級電流。據(jù)此可以看出初、次級之間的關系，初、次級電流是如何不在同一時間流動的。

現(xiàn)在根據(jù)所計算的次級RMS電流(Isxrms)得出所需次級導線的規(guī)格。公式如下：

注意此處計算的初級所用CMA(電流容量)要確保與初級和次級的電流容量相匹配。由所計算的CM值從導線規(guī)格表中選擇合適的導線。

若可能的話總是在相鄰低點的AWG號(它是相鄰較大導線規(guī)格)附近取值。次級導線規(guī)格大于26AWG時建議不使用單根導線，其原因在前面關于初級導線規(guī)格時已提及到，所以繞組就需要用小規(guī)格的導線或者絞合線(它通常是多股導線編織而成這種導線一般是定做，價格昂貴，但它使用效果好)并聯(lián)使用。

當使用并聯(lián)導線時應確信全部CM值在前面計算值的10%之內(nèi)。同法可計算出輔助繞組所需的導線規(guī)格。