提高繼電器觸點(diǎn)抗浪涌能力的一種新穎旁路保護(hù)電路
5 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)邊界條件如下:
(1)取R2=15kΩ,R3=15kΩ,C1=4.7μF、C2=10μF、R5=2.7Ω;
(2)P溝道MOSFET型號(hào)為IRF5210;
(3)繼電器采用3JB20-3型繼電器,單觸點(diǎn)額定電流為15A,觸點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間為6.4ms,線圈額定電壓為28V;
(4)設(shè)定功率線輸入正端電壓U1=28V,未采用浪涌旁路保護(hù)電路時(shí),流過繼電器觸點(diǎn)K1的電流波形見圖4。本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/176494.htm
實(shí)際測(cè)試結(jié)果如下:
(1)脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)高電平為28V,持續(xù)時(shí)間為80ms;
(2)流過繼電器觸點(diǎn)K1的額定電流值為10A,浪涌電流值最大為49.4A,幅值已超過了繼電器觸點(diǎn)的額定電流值,持續(xù)時(shí)間為4.8ms。
采用浪涌旁路保護(hù)電路后,流過繼電器觸點(diǎn)K1的電流波形見圖5。
實(shí)際測(cè)試結(jié)果如下:
(1)脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)高電平為28V,持續(xù)時(shí)間為80ms;
(2)脈沖信號(hào)高電平建立6.4ms后繼電器觸點(diǎn)接通,流過繼電器觸點(diǎn)K1的電流值為3.6A,80ms驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平,Q1截止,電流全部流過繼電器觸點(diǎn),電流值為10A。
根據(jù)以上測(cè)試結(jié)果,浪涌旁路保護(hù)電路滿足設(shè)計(jì)要求,在功率線輸入正端電壓U1接通瞬間,由于電容器產(chǎn)生的浪涌電流被浪涌旁路保護(hù)電路旁路(浪涌電流持續(xù)時(shí)間為4.8ms),在繼電器觸點(diǎn)接通(脈沖信號(hào)高電平建立后6.4ms)前,回路中電流值已恢復(fù)到額定電流值,能夠確保繼電器觸點(diǎn)安全。
6 結(jié)束語(yǔ)
通過分析及對(duì)比實(shí)驗(yàn),浪涌旁路保護(hù)電路能夠確保規(guī)避繼電器觸點(diǎn)受到浪涌電流的沖擊,滿足繼電器用于航天產(chǎn)品中高可靠性的要求,是一種提高繼電器觸點(diǎn)抗浪涌能力的一種新穎保護(hù)電路,該電路已應(yīng)用于某衛(wèi)星型號(hào)地面設(shè)備,取得了良好效果。
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