電子風(fēng)扇專用無刷直流電機關(guān)鍵技術(shù)的研究
如圖4所示,MOSFET上橋高端驅(qū)動,由于MOSFET分布電容的存在,對IRF4905的充放電過程都要經(jīng)過一個2 kΩ電阻。這樣就不能在門極-源極之間對電容Ciss進行快速的充放電,不能活用MOSFET的高速開關(guān)性能。改進方案如圖5所示,首先采用自舉電路這樣既可以確保門極-源極之間的電壓在IRF4905的承受范圍之內(nèi),又有利于電壓的穩(wěn)定。第二采用了推挽電路,利用NPN/PNP型晶體管的互補推挽電路,提高門極電流的驅(qū)動能力。充放電1,2過程不用經(jīng)過比較大的電阻,直接加速電容的充電過程。
下橋的驅(qū)動如圖5所示,比較圖4可以發(fā)現(xiàn)其中增加了一反向二極管和一個加速電容。串聯(lián)柵極電阻可以使任何MOSFET輸入電容和所有柵源電路中的串聯(lián)引線電感引起的高頻振蕩得以衰減,如果進入底部驅(qū)動輸出的負電流超過50 mA則需要二極管。使用附加電容,圖騰柱式輸出可以增強晶體管截止提供負基極電流。
6 MC33035與MC33039中RT/CT參數(shù)的選擇
MC33035中的RT/CT參數(shù)用于調(diào)整MC33035芯片的工作頻率,每個振蕩周期由基準電壓VREF經(jīng)RT向CT充電,然后CT上電荷通過內(nèi)部一個晶體管迅速放電而形成鋸齒波振蕩信號。其工作頻率的設(shè)定由圖6做具體說明。
由圖6可以看出當(dāng)工作頻率過高,PWM調(diào)節(jié)時,下橋的開關(guān)速度過高,上升沿和下降沿占整個波型的比列大,損失的能量多,則發(fā)熱量就大。當(dāng)工作頻率過低,如圖4,圖5所示,整個PWM調(diào)節(jié)中關(guān)斷時間太長,容易產(chǎn)生電機波動。所以必須調(diào)整RT/CT使得MC33035的工作頻率符合設(shè)計要求。
MC33039中的RT/CT參數(shù)決定著F/V轉(zhuǎn)換的對應(yīng)列表,對應(yīng)表一旦確定,速度控制就按照一定的比列執(zhí)行,所以要求其中的電阻電容的穩(wěn)定性要好,精度要高,而一般的貼片陶瓷電容熱穩(wěn)定性比較差,容易造成溫漂,所以這里選擇了CBB電容,溫度系數(shù)很小。
7 結(jié)語
在實際的電路設(shè)計過程中,要根據(jù)設(shè)計需要參數(shù)調(diào)整每一個元器件,使得電路符合設(shè)計的需要,數(shù)據(jù)手冊中的各類參數(shù)只是提供一種設(shè)計參考,不能照搬照抄。因為芯片設(shè)計者只是在一定情況下做的實驗,得到的實驗參數(shù),不可能滿足所有應(yīng)用者的要求。
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