基于TOPSwitchⅡ的開關(guān)電源設(shè)計(jì)

脈寬調(diào)制器　流入控制極的電流在RE 兩端產(chǎn)生的壓降,經(jīng)RC 電路濾波后,加到PWM 比較器的同相輸入端,與振蕩器輸出的鋸齒波電壓比較,產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號(hào)。該信號(hào)驅(qū)動(dòng)輸出MOSFET 實(shí)現(xiàn)電壓型控制。正常工作時(shí),內(nèi)部MOSFET 輸出脈沖的占空比隨著控制極電流的增加而線性減少,如圖2 所示。

柵極驅(qū)動(dòng)器　柵極驅(qū)動(dòng)器以一定速率使輸出MOSFET 導(dǎo)通。為了提高精確度,柵極驅(qū)動(dòng)電流還可以進(jìn)行微調(diào)逐周限流。逐周限流電路用輸出MOSFET 的導(dǎo)通電阻作為取樣電阻,限流比較器將MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的漏源電壓與閾值電壓V I L IMIT進(jìn)行比較。漏極電流過大時(shí),漏源電壓超過閾值電壓,輸出MOSFET 關(guān)斷,直到下一個(gè)周期,輸出MOSFET 才能導(dǎo)通。

誤差放大器　誤差放大器的電壓基準(zhǔn)取自溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓;誤差放大器的增益則由控制極的動(dòng)態(tài)阻抗設(shè)定。

系統(tǒng)關(guān)閉/ 自動(dòng)重動(dòng)　為了減少功耗,當(dāng)超過調(diào)整狀態(tài)時(shí),該電路將以5 %的占空比接通和關(guān)斷電源。

過熱保護(hù)　當(dāng)結(jié)溫超過熱關(guān)斷溫度(135 ℃) 時(shí),模擬電路將關(guān)斷輸出MOSFET。

高壓偏流源　在啟動(dòng)期間, 該電流源從漏極偏置TOPSwitch Ⅱ,并對(duì)控制極外接電容CT 充電。

在TOPSwitch Ⅱ系列中, TOP225 ～ TOP227 采用TOˉ220封裝形式,而TOP221～ TOP224 則有TOˉ220和DIPˉ8 ,SMDˉ8 三種封裝形式,如圖3 所示?？紤]到DIPˉ8 和SMDˉ8 的散熱情況,采用這2 種封裝形式的器件輸出功率要適當(dāng)降低。

TOPSwitch Ⅱ應(yīng)用于反激式功率變換電路