雙H橋雙峰雙向脈沖電鍍電源設(shè)計與仿真
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由于Vg1和Vg4同時導通，uAP=0。變壓器次級側(cè)二極管同時導通，導致變壓器初、次級繞組電壓均為零。因為漏感較小，而阻斷電容較大，可以認為在這個開關(guān)模式中，阻斷電容電壓基本不變，初級側(cè)電流基本是線性減小，即
在t2時刻，初級側(cè)電流下降到零，該開關(guān)模式的持續(xù)時間為
4)開關(guān)模式3(t2，t3)由于二極管VD4阻斷了ip的反向路徑，初級側(cè)電流恒為零。此段時間為VD4和Vg4恢復時間。
5)開關(guān)模式4(t3，t4)在t3時刻，關(guān)斷Vg4，此時Vg4中并沒有電流流過，因此Vg4是零電流關(guān)斷。在很小的延時后，開通Vg2，由于漏感的存在，初級側(cè)電流不能突變，Vg2是零電流開通。由于初級側(cè)電流不足以提供負載電流，次級側(cè)整流管依然同時導通。變壓器的初、次級繞組被鉗位在零電壓。此時加在漏感兩端的電壓為-(Uin+UCbp)，初級側(cè)電流從零開始反方向線性增加。即
在t4時刻，初級側(cè)電流反方向增加到負載電流。該開關(guān)模式的持續(xù)時間為
6)開關(guān)模式5(t4，t5)從t4時刻開始，原邊給負載提供能量，同時給阻斷電容反向充電。阻斷電容上的電壓為下一次Vg2零電流關(guān)斷和Vg4零電流開通做準備。在t5時刻，關(guān)斷Vg3，開始另一個半周期(t5～t10)，其工作情況類似于前面描述的(t0～t5)。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/179155.htm
3 技術(shù)指標
輸入電壓幅值Uin=300 V；次級輸出電壓Uo=24 V；開關(guān)管工作頻率f=20 kHz；額定輸出電流Io=20 A；輸出脈沖的頻率fs=100 Hz；脈沖開通占空比：17％(即PSIM軟件中對應(yīng))；脈沖關(guān)斷占空比：8％(即PSIM軟件中對應(yīng))。
4 電路元件參數(shù)設(shè)計
1)開關(guān)管的選擇
超前橋臂承受的最大電壓為最大的直流輸入電壓Uinmax=300x(1+10％)=330 V，由于本設(shè)計中開關(guān)管工作在軟開關(guān)狀態(tài)，滯后橋臂承受的最大電壓應(yīng)力為Uinmax+UCbp=1．2Uinmax=396 V。
由于全橋移向變換器開關(guān)管工作在軟開關(guān)狀態(tài)，功率開關(guān)管的額定電壓可降低一些，可選用500 V。
輸出濾波電感電流的最大平均值為
加2倍裕度為6．72A。
通過綜合考慮，本設(shè)計選用IR公司HEXFET系列的功率MOSFET管IRFP450LC，VDSS=500 V，RDS(on)=0．4 Ω，ID=14 A，td(off)=30ns，tf=30 ns。
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