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一個(gè)新的200kHz/200W環(huán)保型開(kāi)關(guān)電源

作者: 時(shí)間:2011-03-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

(4)柵極驅(qū)動(dòng)電路

考慮到運(yùn)行頻率很高,我們采用小信號(hào)雙極型晶體管(Q6,Q7,Q10,Q11)和MOSFETs(Q8,Q9,Q12,Q13)組成的分立式高速、大電流驅(qū)動(dòng)級(jí)去驅(qū)動(dòng)PFC部分的功率管(Q1A,Q1B)以及PWM級(jí)的低端功率管(Q2A)。這就是為什么在PFCOUT/PWMOUT的原來(lái)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出處再插入史密特觸發(fā)以及后續(xù)的分立式驅(qū)動(dòng)放大器的原因。對(duì)高端功率管(Q2B)的柵極驅(qū)動(dòng),其信號(hào)同樣從PWMOUT輸出,通過(guò)高速光耦合器IC8(SFH6711)傳遞,并由IC9,Q14~Q17加以放大后再輸入Q2B。為獲得對(duì)Q2B的浮地供電電壓Vcctop我們?cè)赑FC扼流圈L2磁芯上多設(shè)置獨(dú)立繞組。

5測(cè)試結(jié)果

5.1效率

在近乎滿載和不同的輸入電壓下測(cè)試的效率見(jiàn)表1。

由表1可見(jiàn),在輸入電壓最高時(shí)所得效率最高,而輸入電壓最低時(shí)效率最低。其原因在于輸入電壓降低時(shí),輸入電流會(huì)升高導(dǎo)至輸入整流器,EMI濾波器,PFC扼流圈和PFC電流敏感電阻的傳導(dǎo)損耗增加。當(dāng)開(kāi)關(guān)管必須通過(guò)較高的峰值電流時(shí),在低輸入電壓條件下PFC開(kāi)關(guān)管電流的有效值就會(huì)升高。再者,為了使PFC級(jí)在啟動(dòng)時(shí)有較快的建立速度,晶體管以有效占空比兩倍的ton時(shí)間開(kāi)關(guān)著,亦即晶體管的導(dǎo)通時(shí)間加長(zhǎng)引起其電流加大從而也引起PFC級(jí)的開(kāi)關(guān)損耗升高。由于PWM的供電電壓是從PFC輸出并經(jīng)過(guò)予穩(wěn)壓,故PWM級(jí)的特性與輸入交流電壓無(wú)關(guān)。

表1效率測(cè)試結(jié)果

輸入交流電壓/V輸入功率/W輸出功率/W12V繞組輸出電壓/V12V繞組輸出電流/A5V繞組輸出電壓/V5V繞組輸出電流/A效率/%
90224180.510.248.564.8519.1580.6
110220180.610.258.564.8519.1582.1
150215180.810.258.574.8519.1684.1
200215181.510.258.654.8519.1484.4
230215181.410.248.654.8519.1484.4
275212181.410.248.654.8519.1485.6

 

圖5傳導(dǎo)噪聲測(cè)試

(a)AV平均值檢波噪聲譜線(b)QP準(zhǔn)峰值檢波噪聲譜線

再者,由于PWM采用帶光耦合器和可變穩(wěn)壓ICTL431作為輸出穩(wěn)壓反饋電路,其負(fù)載-穩(wěn)壓調(diào)整率也是很好的,為獲得穩(wěn)定輸出電壓無(wú)須對(duì)負(fù)載大小提出額外要求。

5.2功耗的分布

最大功耗發(fā)生在滿負(fù)載和低交流輸入電壓條件下。這時(shí)的運(yùn)行點(diǎn)為:Vin=90V,Pin=224W,Pout=180.5W,功耗Ploss=43.5W

利用被測(cè)部件的溫度可估算出功耗的分布見(jiàn)表2。

表2功耗分布

功耗源估算出的功率耗散值/W
序號(hào)名稱
1EMI濾波器1
2輸入整流器(D1-D4)3.5
3PFC扼流圈L23
4大電容C31.5
5PFC晶體管Q15
6PFC二極管D51.5
7正激開(kāi)關(guān)管Q2A、Q2B2
8變壓器T15
95V整流Q19,Q213
1012V整流D20,D214
11輸出扼流圈L35
12輸出電容C36,C37,C15,C282
13控制,驅(qū)動(dòng),及其電源電路3
14其它4
15合計(jì)43.5
5.3傳導(dǎo)EMI的測(cè)試

為測(cè)試整機(jī)的傳導(dǎo)噪聲,我們根據(jù)CISPRPublication16,1977所規(guī)定的對(duì)EMI噪聲的測(cè)試方法,使用EMI接收機(jī)FMLK1518以及電源阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN)NSLK8128進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果如圖5所示。測(cè)試條件:Vin=230V,Pout=181.4W,整機(jī)電源放在金屬盒內(nèi)。

由圖5可見(jiàn),所測(cè)出的EMI噪聲譜線均在正常限值之下。


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