如何在RF電路中選擇LDO穩(wěn)壓器的PSRR和輸出噪聲
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影響LDO輸出噪聲的其它因素還有：LDO內(nèi)部極點、零點和輸出極點。增大輸出電容的容量或減輕輸出負(fù)載有利于降低高頻輸出噪聲。如圖為旁路電容對SG2001輸出噪聲影響。
LDO需要增加外部輸入和輸出電容器。利用較低ESR的大電容器一般可以全面提高電源抑制比(PSRR)、噪聲以及瞬態(tài)性能。 陶瓷電容器通常是首選，因為它們價格低而且故障模式是斷路，相比之下鉭電容器比較昂貴且其故障模式是短路。輸出電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)會影響其穩(wěn)定性，陶瓷電容器具有較低的ESR，大概為10 mΩ量級 采用陶瓷電容時，建議使用X5R 和X7R電介質(zhì)材料，這是因為它們具有較好的溫度穩(wěn)定性。圖為X5R的ESR和頻率曲線。
如圖為輸出電容對PSRR的影響。大電容器一般在一定頻率范圍內(nèi)會提高電源抑制比(PSRR)
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