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雙向過(guò)壓過(guò)流保護(hù)器件NCP370 的原理及應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2009-12-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2.5 DIR輸入
的DIR端強(qiáng)制拉低,并將DEV端拉高,即可進(jìn)入正向充電狀態(tài)。而將DIR端置高時(shí),OUT端會(huì)與IN端斷開(kāi),具體的充電狀態(tài)設(shè)置如表1所列。另外,DIR也會(huì)受到OVLO或U-VLO故障的影響(FLAG有效)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/181158.htm

3 典型
具有電壓下降的功能,通過(guò)該功能可使電路免受IN端反向電壓的影響。當(dāng)出現(xiàn)反向電壓時(shí),NCP370的輸出將與輸入端斷開(kāi)。
圖4所示是NCP370的典型電路。

將NCP370的DIR端強(qiáng)制置高(>1.2 V),且將DEV端置低(0.55 V),NCP370便可進(jìn)入反向供電狀態(tài),此時(shí)系統(tǒng)內(nèi)的電源可以向置于底部連接器的外設(shè)供電。而NCP370則由電池來(lái)供電,范圍為2.5~5.5 V,而且此時(shí)的OCP和熱關(guān)斷模式同樣起作用。
當(dāng)外設(shè)電阻Rlim上的電流(Ilim)高于Iocp時(shí),流過(guò)其內(nèi)部N溝道MOS管的電流就會(huì)受到限制,這樣,NCP370就能提供從電池到外設(shè)的反向過(guò)流功能。由于NCP370的內(nèi)部電阻與Ilim是串聯(lián)關(guān)系,因此,當(dāng)Ilim引腳直接與GND相連時(shí),其OCP最大,而在它們之間接入Rlim時(shí),其OCP會(huì)減小,OCP的取值大小如表2所列。當(dāng)電流高于OCP時(shí),其內(nèi)部的NMOS會(huì)關(guān)斷,且/FIAG會(huì)置低,同時(shí)NCP370會(huì)通知微控制器來(lái)對(duì)故障進(jìn)行處理,并禁止反向充電模式。

通過(guò)NCP370內(nèi)部的熱關(guān)斷電路,可在溫度過(guò)高時(shí)關(guān)斷內(nèi)部MOSFET,從而及時(shí)為降溫。NCP370所允許的最高熱關(guān)斷值為150℃,超過(guò)這個(gè)溫度,F(xiàn)LAG就會(huì)置低,并通知MCU。但是,由于NCP370芯片還具有30℃的熱滯,因此,只有在溫度低于120℃時(shí),其芯片內(nèi)部的MOSFET才能開(kāi)啟;而在高于120℃時(shí),NCP370會(huì)一直處于熱關(guān)斷狀態(tài)。此后,故障消除,芯片即可恢復(fù)正常工作。 NCP370在OUT端內(nèi)部集成有2個(gè)低RDS(on)的N溝道MOS管,可用以實(shí)現(xiàn)對(duì)OUT端外系統(tǒng)在過(guò)壓、負(fù)向電壓及反向電流下的保護(hù)。通常,N溝道MOS管的這種RDS(on)特性會(huì)在OUT端引入少量損耗。


4 結(jié)束語(yǔ)
NCP370是安森美半導(dǎo)體公司針對(duì)便攜式系統(tǒng)產(chǎn)品最新推出的重要,該可為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3/4、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提供28 V的正向及負(fù)向過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)(OVP)。此外,NCP370還提供有“反向”模式,可實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備電池中反向電流的穩(wěn)流,故可廣泛用于便攜式設(shè)備底部連接器上FM收發(fā)器以及音頻和閃光等功能附件電路的供電。


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